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下载规格书 位于荷兰的研究人员开发出 "量子产率超过200%"的光电二极管
埃因霍温和TNO团队对基于多个堆叠电池的太阳能电池板采用类似的方法。
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QLF063x概述
来自QD Laser的QLF063x是波长为660 nm的激光二极管，输出功率为0.05至0.12 W，输出功率（CW）为0.05至0.12 W.有关QLF063x的更多详细信息，
QLF063x参数
- 技术 / Technology : Fabry-Perot Laser (FP)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser, Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 660 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.05 to 0.12 W
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
QLF063x图片集
QLF063x规格书
QLF063x厂家介绍
QD Laser，Inc.是一家为电信/数据通信、消费电子和工业应用提供高效半导体激光器解决方案的领先供应商。我们在市场上脱颖而出的是我们的产品价值，从532，1000到1310nm的精细调谐波长，高温操作和稳定性，以及在砷化镓平台上的大规模生产能力。我们的产品具有可靠性，帮助我们的客户在各种应用中创造新的激光市场，如LAN/FTTH、光学互连、材料加工、传感、激光投影等。
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图片名称分类制造商参数描述
- FDL-780-1W-TA Tapered Amplifier for MOPA半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
- U-LD-630551A LASER DIODE半导体激光器Union Optronics Corp.
输出功率: 7mW
U-LD-63xx系列激光二极管
- FKLD-30S-660-70半导体激光器FrankFurt Laser Company
波长: 660 nm输出功率: 0.03 W
来自Frankfurt Laser Company的FKLD-30S-660-70是波长为660 nm、输出功率为0.03 W、阈值电流为35至50 mA、输出功率（CW）为0.03 W、工作温度为-10至70摄氏度的激光二极管。
- LDX-3310-797半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 797 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3310-797是波长为797nm、输出功率为2400mW（光纤）至3000mW、输出功率为2400mW（光纤）至3000mW、工作电压为1.8V、工作电流为2900mA的激光二极管。有关LDX-3310-797的更多详细信息，请参阅下文。
- HL63133DG半导体激光器Ushio Inc.
波长: 632 to 643 nm输出功率: 0.17 W
Ushio公司的HL63133DG是波长为632至643nm的激光二极管，输出功率为0.17W，工作电压为2.8至3.2V，工作电流为0.32至0.32A，阈值电流为60至90mA.有关HL63133DG的更多详细信息，请参阅下文。
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光功率测量基础知识（Optical Power Measurement）
当光子击中光电二极管材料时，可能会产生电子-空穴对，这取决于器件的量子效率。
人们对各种半导体激光器的外部光反馈效应进行了深入研究 [1] - [3]。从法布里-珀罗（FP）激光器到 DFB 和 DBR 激光器，这些反馈效应对所有半导体激光器都有同样的影响。 有五种反馈状态决定了半导体在外部反馈下的工作方式。