以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
概述
参数
- 技术 / Technology : Quantum Well
- 波长 / Wavelength : 660 nm
- 输出功率 / Output Power : 60 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.3 V
- 工作电流 / Operating Current : 100 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 55 mA
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- 标签 / Tags : TO56 Mini
规格书
厂家介绍
相关产品
- QPGAx3S03H Pulsed Laser Diodes半导体激光器Excelitas Technologies
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
- C-116半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1550 nm输出功率: 4.2 W
C-116是Seminex公司生产的波长为1550nm,输出功率为4.2W,工作电压为1.7V,工作电流为14A,阈值电流为450mA的激光二极管。C-116的更多细节可以在下面看到。
- RLT1050M-500G半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 1050 nm输出功率: 0.5 W
Roithner Lasertechnik的RLT1050M-500G是波长为1050 nm的激光二极管,输出功率为0.5 W,工作电压为1.9 V,工作电流为0.86至0.91 A,阈值电流为200至350 mA.有关RLT1050M-500G的更多详细信息,请参阅下文。
- LD-0417-0050-AR-1半导体激光器TOPTICA Photonics
波长: 414 to 420 nm输出功率: 0.045 W
Toptica Photonics的LD-0417-0050-AR-1是一款激光二极管,波长为414至420 nm,输出功率为0.045 W,输出功率(CW)为0.045 W.有关LD-0417-0050-AR-1的更多详细信息,请参见下文。
- LD-1470-0020-DFB-1半导体激光器TOPTICA Photonics
波长: 1470 nm输出功率: 0.02 W
Toptica Photonics的LD-1470-0020-DFB-1是一款分布式反馈(DFB)激光二极管,工作波长为1470 nm.它提供20mW的输出功率,并且在激光芯片内具有频率选择结构,该结构将激光发射限制为单纵模。通过改变驱动电流或芯片温度来调节该激光二极管的激射波长。它可以在没有任何模式跳变的情况下保持超过几百GHz的单频操作。这款激光二极管采用蝶形尾纤封装,内置热敏电阻和热电冷却器。
相关文章
位于荷兰的研究人员开发出 "量子产率超过200%"的光电二极管
埃因霍温和TNO团队对基于多个堆叠电池的太阳能电池板采用类似的方法。
锥形光纤是提供高能量、高光束质量的超快激光器的潜在器件
由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性,硅(Si)光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而,由于硅基材料无法有效发光,因此需要使用其他半导体作为光源。