全部产品分类
强化2675-2S 半导体激光器

强化2675-2S

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书
美国
厂家:Intense Limited

更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: Intense 2675-2SIR (905 nm) Epi-Stack Pulsed Lasers for Military & Industrial Applications

强化2675-2S概述

Intense Limited的Intense 2675-2S是一款激光二极管,波长为905 nm,输出功率为150至225 W,输出功率为150至225 W,工作电流为30 A,工作电流为30 A.Intense 2675-2S的更多详情见下文。

强化2675-2S参数

  • 应用行业 / Application Industry : production Process, Market Sectors, Defence and Security, Medical, Commercial, Industrial
  • 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
  • 波长 / Wavelength : 905 nm
  • 输出功率 / Output Power : 150 to 225 W
  • 工作电流 / Operating Current : 30 A
  • 阈值电流 / Threshold Current : 0.75 A
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

强化2675-2S规格书

强化2675-2S厂家介绍

Intense是单模和多模单片激光器阵列产品和高功率激光二极管的领先供应商。该公司在量子阱混合(QWI)和非对称波导(AW)方面的专利创新可产生独特的高功率、亮度和可靠性。与美国较先进的大批量生产设施相结合,为打印和成像、国防、工业、显示和医疗市场的客户提供无与伦比的产品质量和价值。

相关内容

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    Laser Diode FVLD-405-120S半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 140mW

    FVLD-405-120S是单模激光二极管,功率为120mW405nm连续波输出功率。它以5.6mm的形式提供给带光电二极管和齐纳二极管的CAN。激光二极管是适用于各种光电应用。

  • 光电查
    LBX-473-1000-HPE: 473nm HP Laser Diode Module半导体激光器RPMC Lasers Inc.

    输出功率: 1000mW

    LaserBoxx HPE系列是OXXIUS的高功率多模连续激光器系列,在紧凑、完全集成的激光模块中具有出色的性能和可靠性。LaserBoxx HPE的功率水平在100 MW至+2W范围内,可用于375至940nm的波长。LaserBoxx系列采用行业标准基底面设计,标配用户友好的图形用户界面,可通过USB、RS232或直接I/O接口进行远程诊断。LaserBoxx系列采用OEM和即插即用配置,是一个多功能平台,是OEM和基于研究的应用的优秀解决方案。

  • 光电查
    Seminex Single-Mode Laser Chip 1650nm 0.45W N155半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 450mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • 光电查
    LDX-3110-1850半导体激光器RPMC Lasers Inc.

    波长: 1850 nm

    来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3110-1850是波长为1850nm、输出功率为800mW(光纤)至1000mW、输出功率为800mW(光纤)至1000mW、工作电压为1.3V、工作电流为5200mA的激光二极管。有关LDX-3110-1850的更多详细信息,请参阅下文。

  • 光电查
    FPL-405-14BF半导体激光器Nolatech

    波长: 405 nm输出功率: 0.02 W

    FPL-405-14BF是一种波长为405nm,输出功率为0.02W,工作电压为5V,工作电流为0.05~0.1A,阈值电流为30~50mA的半导体激光器。有关FPL-405-14BF的更多详细信息,请参阅下文。

相关文章

  • 单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能

    洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。

  • 半导体激光管/光纤合路器

    将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此(图2),在这种情况下,两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。

  • 一种在空气中坚固且可通过风力调谐的液体激光器

    来自筑波大学的筑波能源材料科学研究中心的科学家们展示了一种简单的方法来生产离子液体微滴,这些微滴可以作为灵活、持久和可气动调节的激光器使用。

  • 带有硅光子电路的单片集成半导体激光器

    由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性,硅(Si)光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而,由于硅基材料无法有效发光,因此需要使用其他半导体作为光源。