单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2023-02-07 16:00:24
强化2675-2S概述
Intense Limited的Intense 2675-2S是一款激光二极管,波长为905 nm,输出功率为150至225 W,输出功率为150至225 W,工作电流为30 A,工作电流为30 A.Intense 2675-2S的更多详情见下文。
强化2675-2S参数
强化2675-2S规格书
强化2675-2S厂家介绍
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输出功率: 140mW
FVLD-405-120S是单模激光二极管,功率为120mW405nm连续波输出功率。它以5.6mm的形式提供给带光电二极管和齐纳二极管的CAN。激光二极管是适用于各种光电应用。
输出功率: 1000mW
LaserBoxx HPE系列是OXXIUS的高功率多模连续激光器系列,在紧凑、完全集成的激光模块中具有出色的性能和可靠性。LaserBoxx HPE的功率水平在100 MW至+2W范围内,可用于375至940nm的波长。LaserBoxx系列采用行业标准基底面设计,标配用户友好的图形用户界面,可通过USB、RS232或直接I/O接口进行远程诊断。LaserBoxx系列采用OEM和即插即用配置,是一个多功能平台,是OEM和基于研究的应用的优秀解决方案。
输出功率: 450mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
波长: 1850 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3110-1850是波长为1850nm、输出功率为800mW(光纤)至1000mW、输出功率为800mW(光纤)至1000mW、工作电压为1.3V、工作电流为5200mA的激光二极管。有关LDX-3110-1850的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 405 nm输出功率: 0.02 W
FPL-405-14BF是一种波长为405nm,输出功率为0.02W,工作电压为5V,工作电流为0.05~0.1A,阈值电流为30~50mA的半导体激光器。有关FPL-405-14BF的更多详细信息,请参阅下文。
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