单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2023-12-29 09:52:19
概述
Laser Components的905D5S2L3J08X是一款激光二极管,波长为895至915 nm,输出功率为650 W,工作电流为60 A,阈值电流为1500 mA,输出功率(连续波)为650 W.有关905D5S2L3J08X的更多详细信息,
参数
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输出功率: 80mW
Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。
波长: 905 nm输出功率: 3 W
来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 46是波长为905nm、输出功率为3W、输出功率(CW)为3W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。
波长: 1250 nm输出功率: 8 W
Seminex的TO56M-100-173是一款输出波长为1250 nm的脉冲激光二极管。它产生8W的脉冲输出功率,脉冲宽度为150ns(占空比为0.1%)。这种单/多模激光二极管的斜率效率为0.2W/A,腔长为1500μm.它具有30度(垂直)的快轴划分和10度(平行)的慢轴划分。激光二极管需要7.3 V直流电源,阈值电流高达1 A.它采用TO56封装,尺寸为50 X 1μm,非常适合OEM和专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。
波长: 808 nm输出功率: 200 W
诺斯罗普·格鲁曼公司的ASM232P200是一个工作波长为808nm的激光二极管子模块。它产生200W(每巴)的最小QCW(准连续波)输出功率,并且具有2.5nm的光谱宽度。这种激光二极管是基于专有的硬焊料技术与扩展匹配的材料。它具有15 A的阈值电流,并提供长脉冲和/或高占空比。该激光二极管需要2 V的直流电源并消耗180 A的电流。它采用Golden Bullet封装,尺寸为394 X 250 X 68 mm,是材料加工、Ti:S泵浦、激光雷达、激光切割和激光喷丸应用的理想选择。
输出功率: 5.5 mW波长: 见下表
来自II-VI Incorporated的IND02D200D102是波长1304.5nm、1311nm、1317.5nm、输出功率5.5mW、工作电压1.6V、阈值电流5至19mA的激光二极管。有关IND02D200D102的更多详细信息,请参阅下文。
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