单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2023-02-07 16:00:24
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输出功率: 57.2mW
6.23μm分布反馈QCL。
用于超高速成像
波长: 808 nm输出功率: 0.35 W
Innovative Photonic Solutions的I0808MB0350MS是一款激光二极管,波长为808 nm,输出功率为0.35 W,工作电压为2.2 V,工作电流为1 A,输出功率(CW)为0.35 W.有关I0808MB0350MS的更多详细信息,请参见下文。
波长: 1150 nm输出功率: 14 W
来自Innolume的LD-12xx-AK3-14W是一款激光二极管,波长为1150 nm,输出功率为14 W,工作电流为12至14 A,阈值电流为1200至1500 mA,输出功率(CW)为14 W.有关LD-12xx-AK3-14W的更多详细信息,请参见下文。
波长: 820 to 840 nm输出功率: 0.03 W
Global Laser Ltd的9025-02-152是波长为820至840 nm、输出功率为0.03 W、工作电压为1.7至2.3 V、工作电流为63至73 mA、阈值电流为23至30 mA的激光二极管。有关9025-02-152的更多详细信息,请参阅下文。
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