4.58 µm C-Mount

输出功率: 150mW

HL63153AT AlGaInP半导体激光器。

输出功率: 5600mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

波长: 886 to 1100 nm输出功率: 10 W

来自Intense Limited的Intense 2110-2S是波长为886至1100 nm的激光二极管，输出功率为10 W，输出功率为10 W，工作电流为5.5 A，工作电流为5.5 A.Intense 2110-2S的更多详情见下文。

波长: 920 to 985 nm输出功率: 0.06 W

Sacher Lasertechnik的Sal-0960-060是一款激光二极管，波长为920至985 nm，输出功率为0.06 W，输出功率（CW）为0.06 W.Sal-0960-060的更多详情见下文。

波长: 775 to 800 nm输出功率: 10 mW

来自Quantum Semiconductor International的QL78F8SA是一种激光二极管，波长为775至800 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.4 V，工作电流为25至50 mA.有关QL78F8SA的更多详细信息，请参阅下文。