激光二极管技术（Laser Diode Technology）
最近，激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
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R1 - QCW
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: R1 - QCWQCW LASER DIODE
R1 - QCW概述
美国Leonardo Electronics公司的R1-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为80至120 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.有关R1-QCW的更多详细信息，
R1 - QCW参数
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 830 to 1100 nm
- 输出功率 / Output Power : 80 to 120 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.85 to 2 V
- 工作电流 / Operating Current : 95 to 330 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 10000 to 28000 mA
- 堆栈/阵列 / Stack/Array : Array/Stack
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
R1 - QCW规格书
R1 - QCW厂家介绍
Leonardo Electronics美国公司是一家高功率半导体激光元件的垂直集成制造商和客户激光解决方案的开发商。服务于国防、医疗和工业行业。它们提供各种芯片、线棒、阵列封装和光纤耦合器件，峰值波长从770nm到1050nm，峰值功率从200mW到几kW.
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FIDL-30S-910X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 30mW
FIDL-30S-910X是用MOCVD半导体激光器制作的910nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-910X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。
- LASER DIODE FIDL-5S-770X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5mW
FIDL-5S-770X是770nm AlGaAs/GaAs结构。通过MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-770X是一种连续单模注入半导体激光器。它由INSOT-242 5.6mm CAN交付，内置监控光电二极管以稳定输出功率和TO-3。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。精确的波长选择也允许在光谱设备中使用激光二极管如在各种光电系统中。
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输出功率: 1600mW
该830nm二极管激光器从自由空间封装中的100um发射器产生1600mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生1280mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- APA4501040001半导体激光器II-VI Incorporated
波长: 840-860 nm输出功率: 1.5-2.2 mW
来自II-VI Incorporated的APA4501040001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.5至2.2mW，工作电压为2.1至2.2V，阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501040001的更多详细信息，请参阅下文。
- S8810MG半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 870 to 890 nm输出功率: 0.01 W
Roithner Lasertechnik公司的S8810MG是一种激光二极管，其波长为870至890 nm，输出功率为0.01 W，工作电压为2.2至2.5 V，工作电流为0.02 9至0.035 A，阈值电流为10至15 mA.有关S8810MG的更多详细信息，请参阅下文。
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