以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
概述
Nanoplus公司的1581.0nm DFB激光器是一种激光二极管,波长为1450~1650nm,输出功率为0.01W,工作电压为2V,工作电流为0.07A,阈值电流为10~30mA.1581.0nm DFB激光器的更多细节可以在下面看到。
参数
- 技术 / Technology : Distributed Feedback Laser (DFB)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1450 nm to 1650 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.01 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2 V
- 工作电流 / Operating Current : 0.07 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 10 to 30 mA
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode
规格书
厂家介绍
相关产品
- DS3-51512-004-LDNo. Fiber Coupled Diode Laser System半导体激光器BWT Beijing Ltd.
波长: 635nm输出功率: 5000mW
BWT Beijing'的高功率二极管激光模块采用专门的光纤耦合技术制造,产品具有高效率、稳定性和卓越的光束质量。这些产品是通过使用特殊的微光学器件将来自激光二极管芯片的非对称辐射转换为具有小芯径的输出光纤来实现的。每一个环节的检测和老化程序都是为了保证每一件产品的可靠性、稳定性和长寿命,我们的研发人员在生产过程中,根据长期积累的专业知识和经验,不断改进和创新加工工艺。我们还不断开发新产品,以满足客户的特定需求。在BWT北京,以合理的价格提供高质量的产品是我们一贯的目标。
- PL 450B PRELIMINARY Blue Laser Diode in TO38 ICut Package半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 100mW
蓝色激光二极管,采用TO38 iCUT封装。
- SRT-F660M-40/OSYS Fiber Coupled Diode Laser半导体激光器Micro Laser Systems Inc.
波长: 660nm输出功率: 40mW
SRT-F OEM系列光纤耦合激光器采用温度控制,可提供具有出色光束质量的高度稳定激光器。从405nm到1550nm的离散波长范围是可用的。激光器被耦合到单模光纤、保偏光纤或多模光纤,并从光纤末端获得高输出功率。激光器主体包含激光器、热敏电阻、TE冷却器、散热器和耦合光学器件,封装紧凑。驱动电子设备与激光头分离,使设备更加紧凑。光纤耦合激光器有两种选择。一个具有<2nm的光谱带宽,另一个具有<0.1nm的光谱带宽。详情请致电咨询。<!--2nm-->输出可通过我们的FC系列焦点可调光纤准直器进行准直。它们的孔径从3毫米到45毫米。请参阅光纤准直器数据表。选项此外,还提供适用于所有列出波长的保偏光纤和多模光纤。标准连接是FC/UPC,可选FC/APC。SMA连接器也可用于多模光纤。所有激光器都配有安装板,以便于安装。一系列光纤准直器可用于产生直径为2毫米至45毫米的光束,并卡在光纤末端,以提供非常好的校正、高度准直的光束。光纤分路器适用于所有波长。我们可以将2到4个激光波长组合到单个光纤输出中,该光纤输出安装在单个封装中以便于使用。
- FPL808P半导体激光器Thorlabs Inc
输出功率: 180 to 230 mW
Thorlabs Inc生产的FPL808P是一款激光二极管,波长为798 nm、808 nm、818 nm,输出功率为180至230 MW,工作电流为600至650 mA,输出功率为180至230 MW,工作电流为600至650 mA.有关FPL808P的更多详细信息,请参阅下文。
- AF4B125EA75L半导体激光器Anritsu Corporation
波长: 1460 to 1490 nm输出功率: 0.25 W
来自Anritsu Corporation的AF4B125EA75L是波长为1460至1490nm、输出功率为0.25W、工作电压为2V、阈值电流为70至150mA、输出功率(CW)为0.25W的激光二极管。关于AF4B125EA75L的更多细节可参见下文。
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