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SES8-808C-01 半导体激光器

SES8-808C-01

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美国
厂家:贰陆公司

更新时间:2024-02-07 09:43:13

型号: SES8-808C-018W 808nm 190µm High Power Single Emitter Laser Diode on Submount

SES8-808C-01概述

SES8-808C-01单发射激光二极管专为提供高输出功率、高耦合效率和高可靠性而设计,适用于固态激光泵浦和直接激光应用。采用Zurich研发中心的E2前镜面钝化工艺,即使在极高输出功率下也能防止激光二极管端面发生灾难性光学损伤(COD)。单发射激光二极管背面下装在优化的散热基座上,具有非常低的热阻。

SES8-808C-01参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 808 nm
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.9 V
  • 工作电流 / Operating Current : 8 A
  • 阈值电流 / Threshold Current : 1.2 A
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 输出功率 / CW Output Power : 8W
  • 中心波长 / Center Wavelength : 808±2.5nm
  • 光谱半高宽(FWHM) / Spectral Width (FWHM) : 2nm
  • 波长随温度变化 / Wavelength Shift With Temperature : 0.3nm/°C
  • 结合发散角(平行) / Beam Divergence (Parallel To Junction) : 6deg
  • 结合发散角(垂直) / Beam Divergence (Perpendicular To Junction) : 32deg
  • 偏振 / Polarization : TE
  • 阈值电流 / Threshold Current : 1.2A
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 1.1W/A
  • 转换效率 / Conversion Efficiency : 50%
  • 串联电阻 / Series Resistance : 0.03Ω
  • 工作电流 / Operating Current : 8A
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.9V
  • 芯片宽度 / Chip Width : 500µm
  • 谐振器长度 / Resonator Length : 3600µm
  • 芯片厚度 / Chip Thickness : 150µm
  • 发射器宽度 / Emitter Width : 190µm

SES8-808C-01应用

1.固态激光泵浦,2.医疗,3.分析,4.打印

SES8-808C-01特征

1.3.6mm x 0.5mm激光二极管,2.190μm宽发射器,3.8W工作功率(背面下装),4.高可靠性单量子阱MBE结构,5.RoHS兼容

SES8-808C-01规格书

SES8-808C-01厂家介绍

II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的,是一家垂直整合的制造公司,为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件,并以各种形式部署它们,包括与先进的软件集成,以支持我们的客户。

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