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SES22-975-01 半导体激光器

SES22-975-01

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美国
厂家:贰陆公司

更新时间:2024-02-07 09:35:22

型号: SES22-975-0122W 9xxnm 190µm High Power Single Emitter Laser Diode on Submount

概述

该单发射器激光二极管系列旨在为下一代光纤激光器提供最高输出功率和效率,适用于200µm核心光纤泵浦配置,以及其他高功率激光二极管应用。专有的E2前镜钝化工艺可防止即使在极高输出功率下也能防止激光二极管端面的灾难性光损伤(COD)。单发射器激光二极管安装在优化的基板上,具有非常低的热阻。

参数

  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 975 nm
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.65 V
  • 工作电流 / Operating Current : 22 A
  • 阈值电流 / Threshold Current : 1100 mA
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 输出功率 / CW Output Power : 22W
  • 中心波长 / Center Wavelength SES22-915-01 : 915±10nm
  • 中心波长 / Center Wavelength SES22-975-01 : 975±10nm
  • 光谱半高宽(FWHM) / Spectral Width (FWHM) : 4nm
  • 波长随温度变化 / Wavelength Shift With Temperature : 0.3nm/°C
  • 结合处平行光束发散角 / Beam Divergence Parallel To Junction : 9deg
  • 结合处垂直光束发散角 / Beam Divergence Perpendicular To Junction : 29deg
  • 偏振 / Polarization (TE) : 98%
  • 阈值电流 / Threshold Current : 1100mA
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 1.05W/A
  • 转换效率 / Conversion Efficiency : 60%
  • 工作电流 / Operating Current : <22A
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.65V
  • 芯片宽度 / Chip Width : 400µm
  • 芯片厚度 / Chip Thickness : 150µm
  • 腔长度 / Cavity Length : 4200µm
  • 发射器宽度 / Emitter Width : 190µm

应用

1.光纤激光泵浦
2.材料加工
3.医疗

特征

1.宽度为190μm的发射器
2.工作功率为22W(p-side down mounted)
3.高可靠性单量子阱结构
4.标准波长为915nm和975nm(其他波长可根据要求提供)
5.RoHS符合性

图片集

SES22-975-01图1
SES22-975-01图2

规格书

厂家介绍

II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的,是一家垂直整合的制造公司,为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件,并以各种形式部署它们,包括与先进的软件集成,以支持我们的客户。

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