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下载规格书 IND02NA00D104概述
为冷却的28Gb/s NRZ应用而设计的激光二极管芯片，具有优秀的可靠性和RoHS兼容性，适用于非密封封装，提供多种波长选择。
IND02NA00D104参数
- 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 输出功率 / Output Power : 4 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
- 阈值电流 / Threshold Current : 15 mA
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
- 阈值电流 / Threshold Current : 15mA@55°C
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.16W/A@P=4mW, Tc=55°C
- 平均偏置电流 / Average Bias Current : 40-48mA@BOL-EOL
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.6V@P=4mW
- 差分电阻 / Differential Resistance : 7-10Ohm@P=4mW
- 输出光功率 / Output Optical Power : 4mW@I=40mA
- 前后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio : 5.3-35
- 旁模抑制比 / Side Mode Suppression Ratio : 35dB@DC bias current 40mA at 55°C
- 中心波长 / Center Wavelength : 1268.24-1319.42nm@DC bias current 40mA
- 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient : 0.09nm/°C
- 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : 30-40degree
- 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : 35-50degree
- 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise (RIN) : -132dB/Hz1/2
- 带宽 / Bandwidth : 18GHz@I=40mA
IND02NA00D104应用
1.光纤通信链接
2.千兆以太网和存储区域网络
3.5G无线前传数据链路
IND02NA00D104特征
1.符合RoHS标准
2.根据GR-468标准认证，适用于非密封封装
3.顶部阳极和背面阴极配置
4.提供1270nm到1330nm的波长选择
IND02NA00D104规格书
IND02NA00D104厂家介绍
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