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下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
全部产品分类
概述
用于无冷却28Gb/s NRZ的DFB激光二极管芯片，符合RoHS标准，适用于非密封封装，并且具有极佳的可靠性。
参数
- 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1282.26 nm
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
- 工作电流 / Operating Current : 60 to 80 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 5 to 17 mA
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
- 阈值电流 / Threshold Current : 5-11-17mA
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.1-0.2W/A
- 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio : 4
- 饱和电流 / Saturation Current : 80-100mA
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.6V
- 差分电阻 / Differential Resistance : 7-10Ohm
- 电容 / Capacitance : 1.2pF
- 前后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio : 7-60
- 旁模抑制比 / Side Mode Suppression Ratio : 35dB
- 波长 / Wavelength : 见下表
- 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient : 0.09nm/°C
- 热阻 / Thermal Impedance : 140K/W
- 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : 30degree
- 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : 35degree
- 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : -132dB/Hz1/2
- 带宽 / Bandwidth : 18-21GHz
- 松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency : 15.5-17.5GHz
应用
1.光纤通信链接 2.千兆以太网和存储区域网络 3.5G无线前传数据链路
特征
1.设计用于无冷却28Gb/s NRZ 2.符合RoHS标准 3.工作温度范围为-20°C至95°C 4.根据GR-468标准进行认证，适用于非密封封装 5.极佳的可靠性 6.顶部阳极和背面阴极配置
规格书
厂家介绍
II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的，是一家垂直整合的制造公司，为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡，在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件，并以各种形式部署它们，包括与先进的软件集成，以支持我们的客户。
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图片名称分类制造商参数描述
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