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IND02C200D102 半导体激光器

IND02C200D102

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美国
厂家:贰陆公司

更新时间:2024-02-06 15:35:16

型号: IND02C200D1021300nm 28 Gb/s NRZ DFB Laser Diode Chip

IND02C200D102概述

这些激光二极管芯片专为无冷却28 Gb/s NRZ应用设计,适用于光纤通信链路、千兆以太网和存储区域网络,以及5G无线前传数据链路。

IND02C200D102参数

  • 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 1311 nm
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 60 to 80 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 5 to 17 mA
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 阈值电流 / Treshold Current : 11-17mA@85°C, 5mA@25°C
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.1-0.2W/A@85°C
  • 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio : SE0C/SE85C=4
  • 饱和电流 / Saturation Current : 80-100mA@85°C
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.6V@Po=5mW
  • 差分电阻 / Differential Resistance : 7-10Ohm@Po=5mW, 85°C
  • 电容 / Capacitance : 1.2pF
  • 前后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio : Pf/Pb=7-60
  • 旁模抑制比 / Side Mode Suppression Ratio : ≥35dB@Po=5mW
  • 波长 / Wavelength : CWDM 1270nm-1370nm, LWDM 1269.23nm-1318.35nm, Grey 1270/1310/1330nm
  • 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient : 0.09nm/°C
  • 热阻 / Thermal Impedance : 140K/W
  • 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : 30degree
  • 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : 35degree
  • 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : -132dB/Hz1/2@Po=5mW
  • 带宽 / Bandwidth : 18-21GHz@I=60mA, 85°C
  • 松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency : 15.5-17.5GHz@I=60mA, 85°C

IND02C200D102应用

1.光纤通信链路;2.千兆以太网和存储区域网络;3.5G无线前传数据链路。

IND02C200D102特征

1.设计用于无冷却28 Gb/s NRZ;2.RoHS兼容;3.工作温度范围-20 °C至95 °C;4.符合GR-468非密封封装使用标准;5.优异的可靠性;6.顶部阳极和背面阴极配置。

IND02C200D102规格书

IND02C200D102厂家介绍

II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的,是一家垂直整合的制造公司,为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件,并以各种形式部署它们,包括与先进的软件集成,以支持我们的客户。

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