全部产品分类
IND02C000D102 半导体激光器

IND02C000D102

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书
美国
厂家:贰陆公司

更新时间:2024-02-06 15:33:32

型号: IND02C000D1021300nm 28 Gb/s NRZ DFB Laser Diode Chip

概述

该产品是为无冷却28 Gb/s NRZ应用而设计的DFB激光二极管芯片,符合RoHS标准,可在-20°C至95°C的温度范围内运行,适用于非密封封装,具有卓越的可靠性,采用顶部阳极和背面阴极的配置。

参数

  • 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 1271 nm
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 60 to 80 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 5 to 17 mA
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 阈值电流 / Threshold Current : 11-17mA(85°C), 5mA(25°C)
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.1-0.2W/A(85°C)
  • 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio : SE0C/SE85C=4
  • 饱和电流 / Saturation Current : 80-100mA(85°C)
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.6V(Po=5mW)
  • 差分电阻 / Differential Resistance : 7-10Ohm(Po=5mW, 85°C)
  • 电容 / Capacitance : 1.2pF
  • 前后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio : Pf/Pb=7-60
  • 旁模抑制比 / Side Mode Suppression Ratio : ≥35dB(Po=5mW)
  • 波长 / Wavelength : 见下表
  • 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient : 0.09nm/°C
  • 热阻 / Thermal Impedance : 140K/W
  • 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : ΘH=30degree
  • 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : ΘV=35degree
  • 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : -132dB/Hz1/2(Po=5mW)
  • 带宽 / Bandwidth : 18-21GHz(f3db, I=60mA, 85°C)
  • 松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency : 15.5-17.5GHz(fr, I=60mA, 85°C)

应用

1.光纤通信链接
2.千兆以太网和存储区域网络
3.5G无线前传数据链路

特征

1.适用于无冷却28 Gb/s NRZ
2.符合RoHS标准
3.工作温度范围广(-20°C至95°C)
4.适用于非密封封装
5.可靠性好
6.顶部阳极和背面阴极配置

规格书

厂家介绍

II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的,是一家垂直整合的制造公司,为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件,并以各种形式部署它们,包括与先进的软件集成,以支持我们的客户。

相关产品

图片名称分类制造商参数描述

相关文章