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下载规格书 对来自 光纤耦合半导体激光管的光进行调制的最后一个解决方案是使用脉冲控制电子设备的电流驱动器进行直接调制。
全部产品分类
BH3FP概述
用于28 Gb/s速率的FP激光二极管芯片，适用于无隔离器操作，工作温度范围广泛，波长为1310纳米。
BH3FP参数
- 技术 / Technology : Fabry-Perot (FP)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
- 工作电流 / Operating Current : 60 to 80 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 2.6 to 12 mA
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- 阈值电流 / Treshold Current : 95°C 8-12mA, 25°C 2.6mA
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 95°C 0.1-0.14mW, 25°C 0.26mW
- 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio : 0°C, 85°C 1.7mW
- 正向电压 / Forward Voltage : Po=5mW 1.6V
- 串联电阻 / Series Resistance : Po=5mW 5-11Ohm
- 前后功率比 / Front/Back Power Ratio : 5-12
- 光谱宽度 / Spectral Width : I=60mA, 95°C 2.5dB
- 波长 / Wavelength : 40°C to 95°C 1260-1345nm
- 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient : 0.5nm/°C
- 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : FWHM 30degree
- 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : FWHM 35degree
- 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : Po=5mW -132dB/Hz1/2
- 带宽 / Bandwidth : I=60mA, 85°C 17-18GHz
- 松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency : I=60mA, 85°C 13.5-14GHz
- 工作电流 / Operating Current : T<70°C 60mA, T=70-85°C 80mA
- 调制摆幅 / Modulation Swing : 30mA
- 反向电压 / Reverse Voltage : 2V
- 芯片宽度 / Chip Width : 230-270µm
- 芯片长度 / Chip Length : 130-170µm
- 芯片厚度 / Chip Thickness : 80-90µm
- 焊盘宽度 / Bond Pad Width : 65µm
- 焊盘长度 / Bond Pad Length : 60µm
BH3FP应用
1.高速光通信系统 2.数据中心光互连 3.光纤到户(FTTH) 4.高速局域网(LAN)
BH3FP特征
1.设计用于28 Gb/s 2.工作温度范围-40°C至95°C 3.无隔离器自由操作设计 4.1310纳米波长
BH3FP图片集
BH3FP规格书
BH3FP厂家介绍
II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的，是一家垂直整合的制造公司，为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡，在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件，并以各种形式部署它们，包括与先进的软件集成，以支持我们的客户。
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图片名称分类制造商参数描述
- TPGEW1S09H 905 nm Pulsed Semiconductor Laser半导体激光器Excelitas Technologies
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
- QFLD-1060-10S半导体激光器QPhotonics
波长: 1065 nm输出功率: 0 to 0.01 W
来自Qphotonics的QFLD-1060-10S是波长为1065nm的激光二极管，输出功率为0至0.01W，工作电压为1.7V，工作电流为0.13 5至0.135A，阈值电流为41mA.有关QFLD-1060-10S的更多详细信息，请参阅下文。
- EYP-DFB-0935-00080-1500-TOC03-000x半导体激光器TOPTICA eagleyard
波长: 934 to 936.8nm输出功率: 0.09 W
Toptica Eagleyard的EYP-DFB-0935-00080-1500-TOC03-000X是一款激光二极管，波长934至936.8nm，输出功率0.09 W，工作电流0.18至0.2 A，阈值电流70 mA，输出功率（连续波）0.09 W.EYP-DFB-0935-00080-1500-TOC03-000X的更多详情见下文。
- 133D-25B-LCG11半导体激光器MACOM
波长: 1330 nm
Macom的133D-25B-LCG11是一款激光二极管，波长为1330 nm，工作温度为0至50摄氏度。有关133D-25B-LCG11的更多详细信息，请参见下文。
- M12-xxxx-580半导体激光器Lumentum Operations LLC
波长: 980 nm输出功率: Up to 0.6 W
Lumentum Operations LLC的M12-XXXX-580是一款激光二极管，波长为980 nm，输出功率高达0.6 W，工作电流为1565 mA，阈值电流为170 mA，输出功率（CW）高达0.6 W.有关M12-XXXX-580的更多详细信息，请参见下文。
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