单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2023-02-07 16:00:24
概述
Northrop Grumman公司的ARR190P1200是一种波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为21.6 V、工作电流为95 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR190P1200的更多详细信息,
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波长: 808nm输出功率: 40000mW
编号:8808-0022产品描述:808nm,40W,200µm不可拆卸光纤耦合模块
波长: 803 nm
II-VI Incorporated的SES4-808B-01是波长为803 nm、工作电压为1.9 V、工作电流为4 A、阈值电流为600 mA的激光二极管。有关SES4-808B-01的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 5260 nm输出功率: 0.14 W
Adtech Optics的5.26µm VHL PKG是一款激光二极管,波长为5260 nm,输出功率为0.14 W,工作电压为13.3 V,工作电流为0.45 A,阈值电流为310 mA.有关5.26µm VHL PKG的更多详细信息,请参见下文。
波长: 395 to 415 nm输出功率: 0.02 W
D6-7-405-20是EGISMOS技术公司的激光二极管,其波长为395至415nm,输出功率为0.02W,工作电压为5.2至5.6V,工作电流为0.045至0.06A,阈值电流为26至50mA.有关D6-7-405-20的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 770 to 790 nm输出功率: 0.09 W
来自Global Laser Ltd的9025-00-208是波长为770至790 nm、输出功率为90 MW、输出功率为0.09 W、工作电压为2.2至2.5 V、工作电流为0.12至0.16 A的激光二极管。
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