Photodigm DBR 激光二极管为短波红外精密激光二极管设定了世界标准。
ARR181P5200
更新时间:2023-02-07 16:00:24
ARR181P5200概述
Northrop Grumman公司的ARR181P5200是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为52 V,工作电流为175 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR181P5200的更多详细信息,
ARR181P5200参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser, Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 808 nm
- 输出功率 / Output Power : 200 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 52 V
- 工作电流 / Operating Current : 175 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 15000 mA
- 半导体激光器巴条 / Laser Diode Bar : Yes
- 堆栈/阵列 / Stack/Array : Array/Stack
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
ARR181P5200图片集
ARR181P5200规格书
ARR181P5200厂家介绍
相关内容
相关产品
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-350-1178nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 350mW
•350/500/550mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1170-1280nm •专有镜面涂层技术,实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
- K520F03FN-0.010W Coaxial Packaged Diode Laser半导体激光器BWT Beijing Ltd.
波长: 520nm输出功率: 10mW
BWT Beijing的高功率二极管激光模块采用专门的光纤耦合技术制造,生产出高效率、高稳定性和高光束质量的批量产品。这些产品是通过使用特殊的微光学器件将来自激光二极管芯片的非对称辐射转换为具有小芯径的输出光纤来实现的。每一个环节的检测和老化程序都是为了保证每一个产品的可靠性、稳定性和长寿命。我们的研发人员在长期积累的专业知识和经验的基础上,在生产过程中不断改进和创新加工工艺。我们还不断开发新产品,以满足客户的特定需求。在BWT北京,以合理的价格提供高质量的产品是我们的一贯目标。
- PGAx1S09H Pulsed Laser Diodes半导体激光器Excelitas Technologies
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
- Single Mode Fiber Coupled Laser Diode PL-WSLP-785-005m-4-PD半导体激光器PiLasers LLC
波长: 785nm输出功率: 5mW
单模光纤耦合激光二极管。
- M28-xxxx-500半导体激光器Lumentum Operations LLC
波长: 980 nm输出功率: Up to 0.7 W
Lumentum Operations LLC的M28-XXXX-500是一款激光二极管,波长为980 nm,输出功率高达0.7 W,工作电压为2.39 V,工作电流为1095 mA,阈值电流为125 mA.有关M28-XXXX-500的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
对来自 光纤耦合半导体激光管的光进行调制的最后一个解决方案是使用脉冲控制电子设备的电流驱动器进行直接调制。
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
RoboSense称其汽车激光雷达销售加速