将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此（图2），在这种情况下，两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
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ARR175P12000
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: ARR175P12000
概述
Northrop Grumman公司的ARR175P12000是一种激光二极管，波长为808 nm，输出功率为200 W，工作电压为120 V，工作电流为175 A，阈值电流为15000 mA.有关ARR175P12000的更多详细信息，
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 808 nm
- 输出功率 / Output Power : 200 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 120 V
- 工作电流 / Operating Current : 175 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 15000 mA
- 堆栈/阵列 / Stack/Array : Array/Stack
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
图片集
规格书
厂家介绍
诺斯罗普·格鲁曼公司解决了太空、航空、国防和网络空间中较棘手的问题，以满足我们全球客户不断变化的需求。我们的90，000名员工每天都在利用科学、技术和工程来创造和提供先进的系统、产品和服务。我们致力于推进全球安全和人类发现，以支持客户在世界各地的使命。我们通过向全球市场提供领先的技术和国家安全解决方案和服务来做到这一点。
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图片名称分类制造商参数描述
- Fabry-Perot Laser Diode LD-9XX-YY-200- 984nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 200mW
•150/200/250mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围900-1010nm •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管•符合RoHS规范
- LASER DIODE FIDL-500M-830X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 500mW
FIDL-500M-830X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-830X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
- LDX-3518-1550半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 1550 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3518-1550是波长为1550 nm、输出功率为4000 MW（光纤）至5000 MW、输出功率为4000 MW（光纤）至5000 MW、工作电压为1.5 V、工作电流为14000 mA的激光二极管。有关LDX-3518-1550的更多详细信息，请参阅下文。
- HAxx-Y-60-808半导体激光器Apollo Instruments, Inc.
波长: 808 nm输出功率: 60 W
Apollo Instruments，Inc.的HAXX-Y-60-808是波长为808nm、输出功率为60W、工作电压为2V、工作电流为70A、阈值电流为11000mA的激光二极管。有关HAXX-Y-60-808的更多详细信息，请参阅下文。
- S28-xxxx-640半导体激光器Lumentum Operations LLC
波长: 980 nm输出功率: Up to 0.7 W
Lumentum Operations LLC的S28-XXXX-640是一款激光二极管，波长为980 nm，输出功率高达0.7 W，工作电压为1.74 V，工作电流为1400 mA，阈值电流为125 mA.有关S28-XXXX-640的更多详细信息，请参阅下文。
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人们对各种半导体激光器的外部光反馈效应进行了深入研究 [1] - [3]。从法布里-珀罗（FP）激光器到 DFB 和 DBR 激光器，这些反馈效应对所有半导体激光器都有同样的影响。 有五种反馈状态决定了半导体在外部反馈下的工作方式。