在斯特拉斯克莱德大学领导的研究中,能够反射或操纵光线的激光驱动的 "镜子 "已经产生。
ARR115P3000
更新时间:2023-02-07 16:00:24
概述
Northrop Grumman公司的ARR115P3000是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为30 V,工作电流为175 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR115P3000的更多详细信息,
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser, Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 808 nm
- 输出功率 / Output Power : 200 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 30 V
- 工作电流 / Operating Current : 175 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 15000 mA
- 半导体激光器巴条 / Laser Diode Bar : Yes
- 堆栈/阵列 / Stack/Array : Array/Stack
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
图片集
规格书
厂家介绍
相关产品
- LASER DIODE SYSTEM LS443半导体激光器Amtron
LS系列设备将知名制造商的激光二极管集成到用户友好的系统中,用于材料的直接加工或作为固态激光器的智能泵。TEC空气冷却(TEC–热电冷却)可精确调节激光器温度,且无需维护。
- B-124半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1650 nm输出功率: 0.45 W
Seminex公司的B-124是波长为1650nm,输出功率为0.45W,工作电压为3V,工作电流为1.6A,阈值电流为50mA的激光二极管。B-124的更多细节可以在下面看到。
- DFB-1748-002半导体激光器Sacher Lasertechnik
波长: 1748 nm输出功率: 0.002 W
Sacher Lasertechnik的DFB-1748-002是一款激光二极管,波长为1748 nm,输出功率为0.002 W,工作电流为65至120 mA,阈值电流为15至45 mA,输出功率(连续波)为0.002 W.DFB-1748-002的更多详情见下文。
- L637G1半导体激光器Thorlabs Inc
波长: 637 nm输出功率: 1.2 W
Thorlabs的L637G1是一款637 nm GaAs激光二极管,输出功率为1.2 W.这款紧凑型光源适用于各种应用,采用Ø9 mm封装和G引脚配置。该二极管的引线直径为0.6 mm,大于Ø9 mm封装的典型直径0.45 mm.这使得它与设计用于标准Ø9 mm TO-CAN封装的底座和插座不兼容。这种激光二极管发出高强度的可见光,可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。购买产品时随附一个插座,以协助焊接。
- ML1222半导体激光器Modulight, Inc.
波长: 1485 to 1610 nm输出功率: 0.005 W
来自Modulight,Inc.的ML1222是波长为1485至1610nm、输出功率为0.005W、工作电压为1.15至1.5V、工作电流为28至35mA、阈值电流为10至15mA的激光二极管。有关ML1222的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
用于光通信和长距离激光雷达的具有极低多余噪声的新型光电二极管
光脉冲以闪光的形式出现,用于在高速光纤中传输信息,并越来越多地用于光探测和测距(LIDAR)的3维成像。
光功率测量基础知识(Optical Power Measurement)
当光子击中光电二极管材料时,可能会产生电子-空穴对,这取决于器件的量子效率。
紧凑型光子芯片的精确热控制:玻璃基板集成微热电冷却器(SimTEC)
光子学提供了各种优势,包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的,包括集成在光子芯片上的各种光子元件。