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下载规格书 KAUST的科学家们展示了一种改变紧凑型半导体激光器的简单方法，使其在照明和全息摄影方面更加实用。这项研究发表在《Optica》杂志上。
全部产品分类
概述
Northrop Grumman公司的ARR01P1200是一个波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为21.6 V、工作电流为95 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR01P1200的更多详细信息，
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser, Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 808 nm
- 输出功率 / Output Power : 100 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 21.6 V
- 工作电流 / Operating Current : 95 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 15000 mA
- 半导体激光器巴条 / Laser Diode Bar : Yes
- 堆栈/阵列 / Stack/Array : Array/Stack
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
图片集
规格书
厂家介绍
诺斯罗普·格鲁曼公司解决了太空、航空、国防和网络空间中较棘手的问题，以满足我们全球客户不断变化的需求。我们的90，000名员工每天都在利用科学、技术和工程来创造和提供先进的系统、产品和服务。我们致力于推进全球安全和人类发现，以支持客户在世界各地的使命。我们通过向全球市场提供领先的技术和国家安全解决方案和服务来做到这一点。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- CW Room Temperature High Power QCL System at 4um半导体激光器Pranalytica, Inc
输出功率: 2500mW
PrAnalytica的连续波（CW）室温高功率量子级联激光器（QCL）。Model 1101-XX-CW-YYYY是一种高功率、连续波、空气冷却的中波或长波红外激光系统。它提供高达>4.0 W的连续波、室温（CW/RT）光功率，具体取决于3.7µm至>12µm的波长。
- SLD1254JFR-V半导体激光器Sony Semiconductor Solutions Corporation
波长: 635 to 645 nm输出功率: 90 mW
索尼半导体解决方案公司（Sony Semiconductor Solutions Corporation）的SLD1254JFR-V是一款激光二极管，波长为635至645 nm，输出功率为90 MW，工作电压为2.5至2.9 V，工作电流为150至185 mA.有关SLD1254JFR-V的更多详细信息，请参阅下文。
- HL63391DG半导体激光器Ushio Inc.
波长: 633 to 643 nm输出功率: 120 to 200 mW
Ushio Inc.的HL63391DG是波长为633至643nm、输出功率为120至200mW、工作电压为2.8至3.3V、工作电流为255至290mA的激光二极管。有关HL63391DG的更多详细信息，请参阅下文。
- ALC-1470-4000-FM200.22-TRIO半导体激光器AKELA Laser Corporation
波长: 1470 nm输出功率: 4 W
Akela Laser Corporation的ALC-1470-4000-FM200.22-TRIO是一款激光二极管，波长为1470 nm，输出功率为4000 MW，输出功率为4 W，工作电压为1.8 V，工作电流为11 A.有关ALC-1470-4000-FM200.22-TRIO的更多详细信息，请参见下文。
- NLK1S5EAAA半导体激光器NTT Electronics Corporation
波长: 1460 to 1530 nm输出功率: 0.01 W
来自NTT Electronics Corporation的NLK1S5EAAA是波长为1460至1530 nm、输出功率为10 MW、输出功率为0.01 W、阈值电流为10至20 mA、输出功率（CW）为0.01 W的激光二极管。NLK1S5EAAA的更多细节可参见下文。
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