KAUST的科学家们展示了一种改变紧凑型半导体激光器的简单方法,使其在照明和全息摄影方面更加实用。这项研究发表在《Optica》杂志上。
HL6362MG概述
Ushio公司的HL6362MG是波长为640至643nm的激光二极管,输出功率为0.045W,工作电压为2.4至2.6V,工作电流为0.09至0.11A,阈值电流为45至60mA.有关HL6362MG的更多详细信息,
HL6362MG参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 640 to 643 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.045 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.4 to 2.6 V
- 工作电流 / Operating Current : 0.09 to 0.11 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 45 to 60 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaInP
- 激光颜色 / Laser Color : Red, Visible
- 横模 / Transverse Mode : TE Mode
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
HL6362MG规格书
HL6362MG厂家介绍
相关内容
相关产品
- LASER DIODE FTLD-1370-10S半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 10mW
FTLD-1370-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1370nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1370-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
- EYP-DFB-0937-00100-1500-TOC03-0000半导体激光器TOPTICA eagleyard
波长: 936 to 938 nm输出功率: 0.11 W
Toptica Eagleyard的EYP-DFB-0937-00100-1500-TOC03-0000是一款激光二极管,波长936至938 nm,输出功率0.11 W,工作电流0.18至0.2 A,阈值电流70 mA,输出功率(连续波)0.11 W.EYP-DFB-0937-00100-1500-TOC03-0000的更多详情见下文。
- LDX-3A10-960半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 960 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3A10-960是波长为960 nm、输出功率为8000 MW(光纤)至10000 MW、输出功率为8000 MW(光纤)至10000 MW、工作电压为1.5 V、工作电流为10000 mA的激光二极管。有关LDX-3A10-960的更多详细信息,请参阅下文。
- DL-CLS509B-S1550半导体激光器DenseLight Semiconductors
波长: 1550 nm输出功率: 0 to 0.05 W
来自Denselight Semiconductors的DL-CLS509B-S1550是一款激光二极管,波长为1550 nm,输出功率为0至0.05 W,工作电压为2.8 V,工作电流为0至0.375 A,输出功率(连续波)为0到0.05 W.有关DL-CLS509B-S1550的更多详细信息,请参见下文。
- ALC-670-1600-CB半导体激光器AKELA Laser Corporation
波长: 670 nm输出功率: 1.6 W
ALC-670-1600-CB是由Akela Laser Corporation生产的激光二极管,其波长为670 nm,输出功率为1.6 W,工作电压为2.3 V,工作电流为4 A,阈值电流为2000 mA.有关ALC-670-1600-CB的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
光学参数振荡器optical parametric oscillator(OPO)是一种像激光一样的相干光源,但使用的是非线性晶体中的光学放大过程,而不是受激发射。由于
光功率测量基础知识(Optical Power Measurement)
当光子击中光电二极管材料时,可能会产生电子-空穴对,这取决于器件的量子效率。
半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比,它们的效率更高,成本更低,所需的功率也更小,因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。