单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
概述
Ushio公司的HL6359MG是波长为630至643nm的激光二极管,输出功率为0.012W,工作电压为2.3至2.5V,工作电流为0.04至0.05A,阈值电流为30至35mA.有关HL6359MG的更多详细信息,
参数
图片集
规格书
厂家介绍
相关产品
波长: 630 to 640 nm输出功率: 0.007 W
Ushio公司的HL63102MG是波长为630至640nm的激光二极管,输出功率为0.007W,工作电压为2.2至2.4V,工作电流为0.02至0.025A,阈值电流为15至20mA.有关HL63102MG的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 660 to 680 nm输出功率: 0.01 W
HL6748MG是由Ushio Inc.生产的激光二极管,波长为660至680 nm,输出功率为0.01 W,工作电压为2.2至2.7 V,工作电流为30至45 mA,阈值电流为20至30 mA.有关HL6748MG的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 2150 nm输出功率: 0.003 W
来自Sacher Lasertechnik的DFB-2150-003是一款激光二极管,波长为2150 nm,输出功率为0.003 W,工作电流为65至120 mA,阈值电流为15至45 mA,输出功率(CW)为0.003 W.DFB-2150-003的更多详情见下文。
波长: 1510 to 1560 nm输出功率: 10 to 40 mW
LASERSCOM的LDS-1530-FP-1.25G-10/40是一款激光二极管,波长为1510至1560 nm,输出功率为10至40 MW,工作电压为1.6至1.8 V,工作电流为110至130 mA.有关LDS-1530-FP-1.25G-10/40的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 835 to 855 nm输出功率: 450 mW
来自Quantum Semiconductor International的QL84S6SL是波长为835至855 nm、输出功率为450 MW、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为530至550 mA的激光二极管。有关QL84S6SL的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
RoboSense称其汽车激光雷达销售加速
紧凑型光子芯片的精确热控制:玻璃基板集成微热电冷却器(SimTEC)
光子学提供了各种优势,包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的,包括集成在光子芯片上的各种光子元件。