激光二极管在太空应用中已使用多年。 它们的主要用途是作为固态激光器的泵浦,并为这些应用开发了鉴定方法。
SLD432S
更新时间:2023-02-07 16:00:24
概述
SLD432S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为40 W,工作电压为1.9至2.8 V,工作电流为50至55 A,阈值电流为14000至18000 mA.有关SLD432S的更多详细信息,
参数
- 技术 / Technology : Quantum Well
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 805 to 811 nm
- 输出功率 / Output Power : 40 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.9 to 2.8 V
- 工作电流 / Operating Current : 50 to 55 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 14000 to 18000 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : GaAIAs
- 堆栈/阵列 / Stack/Array : Array
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
相关产品
- FBLD-808-15W-FC400-4Pin半导体激光器FrankFurt Laser Company
波长: 808nm输出功率: 15000mW
FBLD-808-15W-FC400-4销
- LDF 9000W Diode Laser半导体激光器Laserline
波长: 900-1080nm输出功率: 9000000mW
通过LDF系列,LaserLine为高功率二极管激光器设定了基准。即使是激光功率超过20kW的设备,也可以安装在坚固的脚轮上,允许一名员工将激光器移动到不同的位置以启动生产-这是一项独特的优势。你所需要的只是电、水和一根光纤,而激光器已经准备好在新的地点使用。得益于我们成熟的有源二极管冷却技术的持续发展,该系统系列经过优化,即使在高光束质量下也能达到多千瓦的功率水平:在紧凑的系统配置中,在NA 0.1下,600µm光纤的功率为7 kW,占地面积不到1平方米。
- APA8501010001半导体激光器II-VI Incorporated
II-VI Incorporated的APA8501010001是一款激光二极管,波长为840 nm、850 nm、860 nm,输出功率为0.9 MW(SM),工作电压为2.3 V,工作电流为2.3至6 mA.有关APA8501010001的更多详细信息,请参阅下文。
- LCQ90510S5-N/M/P半导体激光器Laser Components
波长: 885 to 915 nm输出功率: 0.012 W
Laser Components的LCQ90510S5-N/M/P是一款激光二极管,波长为885至915 nm,输出功率为0.012 W,工作电压为1.5至2.3 V,工作电流为0.03 5至0.06 A,阈值电流为12至25 mA.有关LCQ90510S5-N/M/P的更多详情,请参阅下文。
- DFB-1620-003半导体激光器Sacher Lasertechnik
波长: 1620 nm输出功率: 0.003 W
来自Sacher Lasertechnik的DFB-1620-003是波长为1620 nm、输出功率为0.003 W、输出功率(CW)为0.003 W的激光二极管。有关DFB-1620-003的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中,由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻(TPL)是一种基于激光的技术,可用于创建分辨率极高的三维结构,它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案,光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
《Opto-Electronic Science》发表了一篇新文章,回顾了光学纳米粒子的基本原理和应用。光学纳米粒子是光子学的关键要素之一。它们不仅能对大量系统(从细胞到微电子学)进行光学成像,还能充当高灵敏度的远程传感器。
位于荷兰的研究人员开发出 "量子产率超过200%"的光电二极管
埃因霍温和TNO团队对基于多个堆叠电池的太阳能电池板采用类似的方法。