单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
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SLD266ZS
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: SLD266ZSCommon-Anode Octa-Beam AlGaAs Laser Diode for Printers
SLD266ZS概述
索尼公司的SLD266ZS是一款红外单片八光束激光二极管，工作波长为785至800 nm.每个光束都可以单独操作，发射器之间的间隔为30微米。它提供10 MW的输出功率，同时消耗高达35 mA的电流。激光二极管采用TO CAN封装，是激光打印机、数码复印机和激光束打印机的理想选择。
SLD266ZS参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser, Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 785 to 800 nm
- 输出功率 / Output Power : 10 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 to 2.3 V
- 工作电流 / Operating Current : 0.02 to 0.035 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 2 to 6 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaAs
- 堆栈/阵列 / Stack/Array : Array
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
SLD266ZS图片集
SLD266ZS规格书
SLD266ZS厂家介绍
索尼的半导体业务始于1954年日本先进个晶体管的商业化。从那时起，我们继续为索尼的原创产品开发和市场创造做出贡献。在图像传感器方面，索尼在1980年将世界上先进台CCD彩色摄像机商业化，多年来推出了许多其他成功的产品。从2004年起，我们开始专注于低功耗、快速读出的CMOS图像传感器。
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图片名称分类制造商参数描述
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