在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
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LDX-3F20-940
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: LDX-3F20-940940 nm Multimode Laser Diode
LDX-3F20-940概述
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3F20-940是波长为940 nm的激光二极管，输出功率为12800 MW（光纤）至16000 MW，输出功率为12800 MW（光纤）至16000 MW，工作电压为1.8 V，工作电流为16000 mA.有关LDX-3F20-940的更多详细信息，
LDX-3F20-940参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 940 nm
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.8 V
- 工作电流 / Operating Current : 16000 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 650 mA
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 横模 / Transverse Mode : TE
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode
- 光纤长度 / Fiber length : 200 µm (HHL, Butterfly), 350 µm (9mm SMA)
LDX-3F20-940规格书
LDX-3F20-940厂家介绍
RPMC Lasers，Inc.成立于1996年，旨在协助LDX Optronics在全球范围内推广其高品质激光二极管产品。这使得LDX Optronics能够专注于技术挑战，而不受销售电话和营销努力的影响。LDX Optronics取得了很好的成功。有了这一成功，我们意识到我们可以为其他激光公司做同样的事情，并在做这件事的同时享受规模经济，从而为我们的主要业务以及我们自己增加价值。随着时间的推移，更多的激光公司被添加到我们的初选名单中。我们很高兴地报告，我们从未被初选解雇，但我们知道，随着我们的一些初选规模越来越大，他们的需求发生变化，这是可能发生的情况之一。
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图片名称分类制造商参数描述
- LDX-2106-622: 622nm 150mW Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 150mW
该622nm红色二极管激光器从自由空间封装中的60um发射器产生150mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生120mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- LDX-3310-1550: 1550nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 1550nm输出功率: 1500mW
该1550nm二极管激光器从自由空间封装中的100um发射器产生3500mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生2800mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- QPGEW1S09H 905 nm Pulsed Semiconductor Laser半导体激光器Excelitas Technologies
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
- ISV850L-004半导体激光器ISOCOM Limited
波长: 840 to 870 nm输出功率: 0.004 W
ISOCOM有限公司的ISV850L-004是一款激光二极管，波长为840至870 nm，输出功率为4 MW，输出功率为0.004 W，工作电压为2.5 V，工作电流为0.009 A.有关ISV850L-004的更多详细信息，请参见下文。
- FRLD-785-500-FS-VBG-BTF半导体激光器FrankFurt Laser Company
波长: 784.5 to 785.5 nm输出功率: 500 mW
Frankfurt Laser公司的FRLD-785-500-FS-VBG-BTF是一款激光二极管，波长为784.5至785.5 nm，输出功率为500 MW，工作电压为2 V，工作电流为1.1 A，工作电流为2000µA.有关FRLD-785-500-FS-VBG-BTF的更多详细信息，请参阅下文。
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