半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比,它们的效率更高,成本更低,所需的功率也更小,因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
TO9-181
更新时间:2024-06-05 17:28:01
概述
来自Seminex公司的TO9-181是波长为1450nm(+/-20)、输出功率为16W、工作电压为6V、工作电流为50A的激光二极管。关于TO9-181的更多细节可参见下文。
参数
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 1450 nm(+/-20)
- 输出功率 / Output Power : 16 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 6 V
- 工作电流 / Operating Current : 50 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 0.5 A
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
相关产品
- GSDL-445-300 Stabilized Diode Laser半导体激光器MicroMaterials
波长: 445nm输出功率: 300mW
GSDL-445-300是一个独立的交钥匙激光系统。它是一个光纤耦合的445nm半导体激光器,其光谱稳定在单模上,窄线宽为0.002nm。输出功率也稳定在300mW。8小时内的功率漂移小于0.3%,使其成为长期分析测量的理想激光器。
- MGM30 (30-35 mW) Green Laser Module半导体激光器Beta Electronics
输出功率: 35mW
以下价格包括一个激光模块(带圆形或方形散热器)、一个电源适配器和一个包含驱动电路和开关的金属盒。只需将电源适配器连接到110或220 V交流电源,打开开关,绿色激光器就会打开。
- SLD302V半导体激光器Sony Semiconductor Solutions Corporation
波长: 770 to 840 nm输出功率: 0.2 W
SLD302V是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为770至840 nm,输出功率为0.2 W,工作电压为1.9至3 V,工作电流为0.35至0.5 A,阈值电流为150至200 mA.有关SLD302V的更多详细信息,请参见下文。
- DFB laser diodes - 2200 nm - 2600 nm半导体激光器nanoplus
波长: 2333 to 2335 nm输出功率: 0.003 W
来自Nanoplus的DFB激光二极管-2200 nm-2600 nm是波长为2333至2335 nm、输出功率为0.003 W、工作电压为2 V、工作电流为0.1 A、阈值电流为25至50 mA的激光二极管。DFB激光二极管(2200 nm-2600 nm)的更多详细信息可在下面查看。
- LU1059M300半导体激光器Lumics
波长: 1054 to 1064 nm输出功率: 0.3 W
LUMICS的LU1059M300是波长为1054至1064 nm的激光二极管,输出功率为0.3 W,工作电压为1.62至1.95 V,工作电流为0.6至0.8 A,阈值电流为60 mA.有关LU1059M300的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
激光二极管是一种半导体设备,它将电能直接转换为一束聚焦的光。
以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
激光吸收光谱法是测定样品中气体组分浓度的一种重要方法。现代设备是高度专业化的,用于检测非常特殊的气体,如大气中的微量气体,燃烧废气和等离子体的技术应用。