CHP-177

输出功率: 6200mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

波长: 1320 nm输出功率: 4.5 W

ALC-13XX-04500-CB100是由Akela Laser Corporation生产的激光二极管，其波长为1320nm，输出功率为4.5W，工作电压为1.5V，工作电流为9~10A，阈值电流为700mA.有关ALC-13xx-04500-CB100的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 770 to 800 nm输出功率: 0.025 W

第一传感器的LD78I6S-A/B/C-L为激光二极管，波长为770~800nm，输出功率为0.025W，工作电压为1.6~2.3V，工作电流为0.03~0.06A，阈值电流为15~25mA.有关LD78I6S-A/B/C-L的更多详细信息，请参阅下文。

输出功率: 60 to 80 W

来自OSRAM的SPL LL90_3是在905nm的波长下操作的混合脉冲激光二极管。它的峰值输出功率为70 W，脉冲宽度（FWHM）为40 ns.该激光二极管的光束发散角为15°（平行）和30°（垂直），上升时间为10ns，下降时间为45ns.它的孔径为200 X 10μm²，反向电流为10μA.该激光二极管具有应变InAlGaAs/GaAs QW结构并使用纳米堆叠激光技术。它具有3个外延堆叠的发射极和一个用于脉冲控制的集成驱动级、FET和电容器。它需要20 V直流电源，采用4.9 X 2.4 X 5 mm的小尺寸塑料封装。该激光二极管适用于电子设备、设备照明（如固化、内窥镜）、高棚工业、工业自动化（机器控制、光障、视觉控制）、激光雷达、预碰撞、ACC、安全和CCTV应用。

波长: 808 nm

来自OSRAM的SPL BY81-12-34-00C，是波长为808nm的半导体激光巴条芯片（裸片）。单片线性激光阵列由34个单管组成，QCW工作模式，输出功率为250W（QCW），光束垂直发散角67°。它的阈值电流为22A，转换效率为62%，正向电流为205A，可应用于激光材料加工。