B-118-118

输出功率: 50mW

FNLD-50S-1030D是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1030D是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

波长: 1465nm输出功率: 10000mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的Inplaser芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、棒材和封装经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

波长: 650 nm输出功率: 0.03 W

Frankfurt Laser Company的FIDL-30M-650是一款激光二极管，波长为650 nm，输出功率为0.03 W，阈值电流为45至70 mA，输出功率（CW）为0.03 W，工作温度为0至30摄氏度。FIDL-30M-650的更多详情见下文。

波长: 652 to 668 nm输出功率: 0 to 0.007 W

Rohm Semiconductor的RLD65MZT7是波长为652至668nm的激光二极管，输出功率为0至0.007W，工作电压为2.3至2.8V，工作电流为0.015至0.04A，阈值电流为15至40mA.有关RLD65MZT7的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 808 nm输出功率: 0.5 W

Sheaumann Laser的CMC-808-0500-0是一种工作波长为808 nm的激光二极管。该激光器连续输出功率为0.5W，斜率效率为1W/A，在FWHM处的发散角为30°（垂直远场）和8°（水平远场）。它需要80 mA的阈值电流，并消耗0.54 A的电流。该激光二极管具有50μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装，具有超低和高AR涂层选项，是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。