单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
B-103概述
B-103参数
B-103规格书
B-103厂家介绍
Seminex公司生产用于军事、医疗、美容和牙科应用的高功率红外二极管激光器。Seminex的二极管激光器采用高精度磷化铟半导体材料制成,可直接高效地将电能转换为相干光能。Seminex激光器利用量子物理学的独特应用,在热效率和电效率方面提供卓越的性能,以及出色的总光功率。更好的半导体性能、效率以及更小的激光器尺寸和功耗使SEMINEX激光二极管具有极高的成本效益,尤其是在利用红外波长的一系列应用中。
相关内容
相关产品
输出功率: 50mW
Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。
波长: 1550nm输出功率: 5mW
Eblana的NLW系列已成为近红外单片超窄线宽激光二极管的行业标准。这些激光器建立在Eblana的离散模式技术平台上,是在较恶劣的环境条件下必须提供较高光谱纯度的先进解决方案。
波长: 1370 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3510-1370是波长为1370 nm、输出功率为4000 MW(光纤)至5000 MW、输出功率为4000 MW(光纤)至5000 MW、工作电压为1.6 V、工作电流为10800 mA的激光二极管。有关LDX-3510-1370的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 632 to 642 nm输出功率: 0.45 W
HL63253MG是一种波长为632~642nm,输出功率为0.45W,工作电压为2.2~2.6V,工作电流为0.6~0.7A,阈值电流为200~250mA的激光二极管。有关HL63253MG的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 130 to 1320 nm输出功率: 0.006 to 0.031 W
来自Emcore公司的1688是波长为130至1320nm、输出功率为0.00 6至0.031W、工作电流为35至100mA、阈值电流为20mA、输出功率(CW)为0.00 6至0.031W的激光二极管。
相关文章
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
用于物体分类任务的轨道-角动量编码衍射网络
在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中,由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻(TPL)是一种基于激光的技术,可用于创建分辨率极高的三维结构,它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案,光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
Photodigm DBR 激光二极管为短波红外精密激光二极管设定了世界标准。