以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
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ML629R40
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: ML629R40ML6xx40 is a high-power, high-efficient semiconductor laser diode
ML629R40概述
来自Mitsubishi Electric的ML629R40是波长为795至815 nm、输出功率为0.5至1.2 W、工作电压为1.6至2.2 V、工作电流为0.55至0.85 A、阈值电流为150至350 mA的激光二极管。有关ML629R40的更多详细信息，
ML629R40参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 795 to 815 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.5 to 1.2 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 to 2.2 V
- 工作电流 / Operating Current : 0.55 to 0.85 A
- 占空比 / Duty Cycle : less than 33%
- 阈值电流 / Threshold Current : 150 to 350 mA
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
ML629R40规格书
ML629R40厂家介绍
用于高功率激光传输、DUV光谱和医疗应用的特种光纤、电缆和组件的开发商和供应商。
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图片名称分类制造商参数描述
- LDX-3115-685: 685nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 1200mW
该685nm二极管激光器从自由空间封装中的150um发射器产生1200mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生960mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- LDX-3310-860: 860nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 3000mW
该860nm二极管激光器从自由空间封装中的100um发射器产生3000mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生2400mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- MLD675-10S9N半导体激光器MeshTel
波长: 665 to 685 nm输出功率: 0.01 W
Meshtel的MLD675-10S9N是一款激光二极管，波长为665至685 nm，输出功率为0.01 W，工作电流为0.06至0.09 A，阈值电流为40至70 mA，输出功率（连续波）为0.01 W.MLD675-10S9N的更多详情见下文。
- LDX-3520-1030半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 1030 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3520-1030是波长为1030nm、输出功率为4000mW（光纤）至5000mW、输出功率为4000mW（光纤）至5000mW、工作电压为2.1V、工作电流为6250mA的激光二极管。有关LDX-3520-1030的更多详细信息，请参阅下文。
- IPSGC1501半导体激光器InPhenix
波长: 1510 to 1590 nm
Inphenix的IPSGC1501是一款激光二极管，波长为1510至1590 nm，阈值电流为15 mA.有关IPSGC1501的更多详细信息，请参见下文。
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