MLD655-30S5N

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

波长: 780 to 830 nm输出功率: 20 to 500 W

来自MonoCrom的堆叠808nm是具有波长780至830nm、输出功率20至500W、输出功率20至500W、工作电流20至450A的激光二极管。堆叠808nm的更多细节可以在下面看到。

波长: 660 nm输出功率: 10 mW

来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4119-660是在660nm的波长下工作的激光二极管阵列。它有一个100 X 19µm发射器，可提供10 MW的输出功率。该TE偏振激光二极管阵列的光谱宽度为1nm（FWHM），光束发散角为7度（平行）和40度（垂直）。在大多数封装上，这种激光二极管阵列的芯片连接可以是硬焊接或软焊接，并且具有高精度放置，无助焊剂、无空隙、均匀的键合线厚度。它需要9400 mA的阈值电流和消耗21000 mA电流的2.1 V直流电源。该激光二极管采用CS封装，尺寸为4.5 X 4 X 0.5 mm，是牙科激光器、机器视觉激光器、光遗传学激光器、PDT激光器和RGB激光器的理想选择。

波长: 760 to 830 nm输出功率: 100 to 300 W

美国Leonardo Electronics的S16是一种激光二极管，其波长为760至830 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为2.1 V，工作电流为105至165 A，阈值电流为10000至14000 mA.S16的更多细节可以在下面看到。

波长: 9260 nm输出功率: 0.47 W

Adtech Optics的9.26µm CS-Mount是一款激光二极管，波长为9260 nm，输出功率为0.47 W，工作电压为13.2 V，工作电流为2.27 A，阈值电流为880 mA.有关9.26µm CS-Mount的更多详细信息，请参见下文。