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全部产品分类
概述
Meshtel公司的MLD635-15S9N是一种激光二极管，波长为635至640 nm，输出功率为0.015 W，工作电压为2.7 V，工作电流为0.085至0.1 A，阈值电流为20至70 mA.有关MLD635-15S9N的更多详细信息，
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 635 to 640 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.015 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.7 V
- 工作电流 / Operating Current : 0.085 to 0.1 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 20 to 70 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaAs or AlGaInP
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
Meshtel二极管/DPSS CW、声光调制器（AOM）Q开关、低噪声、单纵模激光器制造商/供应商，波长为266、355、473、532、671、1064、1034nm DPSS，375至1600nm激光二极管模块/系统。单模和多模光纤耦合/尾纤激光器。侧面发射，传输硅芯光纤，定制光纤束。低成本闭环检流计/执行器。激光安全护目镜。激光投影硬件/软件。动态激光制导模板
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- 1.3μm量子点DFB LD半导体激光器Cybel LLC
输出功率: 30mW
QLD1335-AA是一款量子点（QD）分布反馈（DFB）激光二极管，波长范围为1.3μm，专为高温（85°C至125°C）工作设计。激光器安装在有监视器PD的TO-56针座中，并用透镜盖密封。
- FDL-765-1W-TAL Tapered Amplifier for External Cavity Setups半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1000mW
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
- LASER DIODE FIDL-30S-695半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 30mW
FIDL-30S-695是基于GaInAlP的695nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-695是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9mmSOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。
- CVN 63-90ECL半导体激光器OSI Laser Diode, Inc.
波长: 905 nm输出功率: 0 to 75 W
OSI Laser Diode的CVN 63-90ECL是一款集成微透镜的脉冲激光二极管，工作波长为895至915 nm.该激光器的脉冲宽度为100纳秒，峰值功率超过75瓦，同时消耗30 A的输入电流。它为发射的快轴（垂直轴）和慢轴（平行轴）提供了具有等效发散值（8×8 FWHM）的远场光束模式。经调整的远场图案提供进入标准球面透镜系统的较高耦合效率。这款符合RoHS标准的激光器/透镜采用9毫米密封封装，是关键国防应用（如现场部署的测距仪）的理想选择。
- 905D1S03UA半导体激光器Laser Components
波长: 895 to 915 nm输出功率: 6.5 W
来自Laser Components的905D1S03UA是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为6.5 W，工作电流为7 A，阈值电流为250 mA，输出功率（连续波）为6.5 W.有关905D1S03UA的更多详细信息，请参见下文。
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