EYP-BAL-0653-01000-1510-CMT02-0000

输出功率: 137.6mW

4.34μm分布反馈QCL

输出功率: 2000mW

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

输出功率: 2mW

EP2108-DM-B激光二极管模块是一款经济高效的高相干激光源。专利分立模式（类DFB）脊形波导技术和外延结构设计用于提供InP基应变量子阱激光二极管源，其发射波长为2.108µm，具有高SMSR。分立模式激光二极管芯片采用行业标准的密封14针蝶形封装，集成了光隔离器、热电冷却器（TEC）、监控光电二极管和热敏电阻。

波长: 645 to 660 nm输出功率: 11 mW

来自Laser Components的ADL-65104TA4是波长为645至660 nm、输出功率为11 MW、工作电压为2.5至6 V、工作电流为32至40 mA的激光二极管。有关ADL-65104TA4的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 1061 to 1064 nm输出功率: 0.05 W

Roithner Lasertechnik公司的RLT1064-50MGS是波长为1061~1064 nm，输出功率为0.05 W，工作电压为2~2.5 V，工作电流为0.125~0.14 A，阈值电流为18~25 mA的激光二极管。有关RLT1064-50MGS的更多详细信息，请参阅下文。