人们对各种半导体激光器的外部光反馈效应进行了深入研究 [1] - [3]。从法布里-珀罗(FP)激光器到 DFB 和 DBR 激光器,这些反馈效应对所有半导体激光器都有同样的影响。 有五种反馈状态决定了半导体在外部反馈下的工作方式。
QD-Q1S09-D(n)
更新时间:2023-02-23 15:52:56
QD-Q1S09-D(n)概述
Quantel Laser by Lumibird生产的QD-Q1S09-D(N)是一款激光二极管,波长为790至980 nm,输出功率为900 W,工作电压为18 V,工作电流为110至120 A.有关QD-Q1S09-D(N)的更多详细信息,
QD-Q1S09-D(n)参数
- 工作模式 / Operation Mode : QCW
- 波长 / Wavelength : 790 to 980 nm
- 输出功率 / Output Power : 900 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 18 V
- 工作电流 / Operating Current : 110 to 120 A
- 堆栈/阵列 / Stack/Array : Array/Stack
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
QD-Q1S09-D(n)图片集
QD-Q1S09-D(n)规格书
QD-Q1S09-D(n)厂家介绍
相关内容
相关产品
- Highly Linear, Direct Modulated DFB Laser Module半导体激光器APIC Corporation
波长: 1.5475nm输出功率: 40mW
该激光器是用于模拟调制应用的密集波分复用(DWDM)激光器。它采用基于专有外延和结构的分布式反馈(DFB)设计,以消除高性能模拟应用的张弛振荡。激光器出色的线性度和工作特性较大限度地减少了传输RF信号的衰减。该器件采用标准14引脚蝶形封装,内置热电冷却器(TEC)和用于功率监控的光电二极管。该激光器可用于客户选择的用于DWDM的ITU波长。
- LDX-3415-860: 860nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 4000mW
该860nm二极管激光器从自由空间封装中的150um发射器产生4000mW,或者从光纤耦合封装中的光纤产生3200mW。它具有低阈值电流和高斜率效率,这导致了增强可靠性的低工作电流。
- LRD-0635 Collimated Diode Laser System - D633001FX半导体激光器Laserglow Technologies
输出功率: 300mW
LRD-0635系列准直二极管(半导体)激光器非常适合需要635 nm波长和5 MW至5 W宽范围输出功率水平的应用,具有高水平的长期输出功率稳定性和较长的工作寿命,并且成本极具竞争力。这些激光器通常用于涉及生物研究的各种科学应用,以及PIV、光谱分析、激光显示(娱乐)和其他广泛的应用。该驱动器可作为一个完整的符合FDA标准的系统或作为一个尺寸显著减小的O.E.M.组件。
- SAL-0960-150半导体激光器Sacher Lasertechnik
波长: 920 to 985 nm输出功率: 0.15 W
Sacher Lasertechnik的Sal-0960-150是一款激光二极管,波长为920至985 nm,输出功率为0.15 W,输出功率(CW)为0.15 W.有关Sal-0960-150的更多详细信息,请参见下文。
- ARR291P1800半导体激光器Cutting Edge Optronics
H封装激光二极管阵列专为直接二极管应用(例如脱毛和塑料焊接)而设计。该封装采用二维配置,脉冲持续时间为0.5ms至300ms,每巴功率高达150瓦。标准封装提供8巴、10巴和12巴垂直堆叠(可根据要求提供定制选项)。小而紧凑的设计由非去离子标准过滤水冷却,使安装和维护更具成本和时间效率。该封装采用AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以实现更坚固的组装,从而提高可靠性。
相关文章
来自筑波大学的筑波能源材料科学研究中心的科学家们展示了一种简单的方法来生产离子液体微滴,这些微滴可以作为灵活、持久和可气动调节的激光器使用。
激光气体分析仪可进行高灵敏度和高选择性的气体检测。这种检测方法的多组分能力和宽动态范围有助于分析浓度范围较宽的混合气体。由于这种方法无需进行样品制备或预浓缩,因此易于在实验室或工业中采用。