QD-Q1R12-D(n)

Axsun扫频激光器提供调谐带宽、输出功率、扫描速度和相干长度的较佳平衡，以实现下一代扫频源光学相干断层扫描（SS-Oct）系统的高端性能。

DenseLight DL-CLS系列是采用BTF/DIL封装的冷却型超窄线宽激光器，具有单频发射功能。该激光器基于专有的外腔激光器设计，采用内置光纤布拉格光栅，提供非常稳定的激射波长性能、窄光谱线宽和出色的SMSR。建成的激光波长可以精确到1nm，并且可以通过对内部冷却器温度或驱动电流进行微调来实现更高的精度（低至皮米范围）。该设备可以进行高达622Mbps的强度调制。高速频率调制可以通过直接调制其驱动电流来实现。典型连续输出功率可达20mW，脉冲功率可达50mW。定制型号可提供更高的输出功率。

输出功率: 1000mW

FIDL-1000M-900X是900nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-900X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

波长: 660 nm输出功率: 0.02 W

Innovative Photonic Solutions的I0660SB0020P是一款激光二极管，波长660 nm，输出功率0.02 W，工作电压3.3 V，工作电流0.2 A，输出功率（CW）0.02 W.有关I0660SB0020P的更多详细信息，请参见下文。