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下载规格书 麻省理工学院（MIT）的一项新研究发现，即使消除了来自外界的所有噪声，时钟、激光束和其他振荡器的稳定性仍然容易受到量子力学效应的影响。
全部产品分类
V850-10GSA-1TGA概述
V850-10GSA-1TGA参数
- 技术 / Technology : Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 输出功率 / Output Power : 2.6 to 3 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.9 to 2.9 V
- 工作电流 / Operating Current : 6 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 1.6 to 2.5 mA
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
V850-10GSA-1TGA图片集
V850-10GSA-1TGA规格书
V850-10GSA-1TGA厂家介绍
1998年，Inneos成立了一家名为Blaze Network Products的初创公司。Blaze发明了一种技术（CWDM），该技术将多个波长的光部署在一根光纤束上，以提高光纤解决方案的速度和距离。多通道光纤的概念并不新鲜，但对于商业或消费者使用来说，其成本过高。Blaze的方法通过将通道间隔得更远，显著降低了成本。Blaze在CWDM光组件以及与CWDM相关的制造工艺方面获得了多项早期专利。如今，CWDM广泛应用于电信和数据通信领域，以扩展带宽并增加这些解决方案在光纤上传输的距离。
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图片名称分类制造商参数描述
- FBLD-976-60W-FC105-VBG-6Pin半导体激光器FrankFurt Laser Company
波长: 976nm输出功率: 60000mW
波长稳定光纤耦合激光二极管
- HL8340MG/41MG GaAlAs Laser Diode半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 50mW
HL8340MG/41MG GaAlAs半导体激光器。
- 131D-02I-LT5MB半导体激光器MACOM
波长: 1310 nm
Macom的131D-02I-LT5MB是一款激光二极管，波长为1310 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关131D-02I-LT5MB的更多详细信息，请参见下文。
- ARR191P2400半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 100 W
Northrop Grumman公司的ARR191P2400是一种波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为43.2 V、工作电流为95 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR191P2400的更多详细信息，请参阅下文。
- RLD4BPMP1半导体激光器ROHM Semiconductor
波长: 792 nm输出功率: 0.01 W
Rohm Semiconductor公司的RLD4BPMP1是一种波长为792nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8V、工作电流为0.03A、阈值电流为10mA的激光二极管。有关RLD4BPMP1的更多详细信息，请参见下文。
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