激光二极管是一种半导体设备，它将电能直接转换为一束聚焦的光。
全部产品分类
QFLD-810-10S
立即咨询
获取报价
收藏 
下载规格书
获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-01-04 10:43:44
型号: QFLD-810-10SSingle mode fiber coupled laser diode, 10mW @ 810nm, QFLD-810-10S
概述
来自Qphotonics的QFLD-810-10S是波长为810.8nm的激光二极管，输出功率为0至0.0103W，工作电压为1.65V，工作电流为0.069至0.069A，阈值电流为51mA.有关QFLD-810-10S的更多详细信息，
参数
- 技术 / Technology : Fabry-Perot Laser (FP)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser, Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 810.8 nm
- 输出功率 / Output Power : 0 to 0.0103 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.65 V
- 工作电流 / Operating Current : 0.069 to 0.069 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 51 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
规格书
厂家介绍
Qphotonics是波长范围为405nm-1650nm的半导体发光器件的专业供应商，用于研究、开发和生产。我们提供种类繁多的激光二极管、超发光二极管和半导体光放大器。可以从库存中选择单个设备并在线购买。我们还提供用于构建激光系统的控制器、支架、准直器和光电二极管。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- 670nm High Powered Diode Laser半导体激光器Process Instruments Inc.
波长: 670nm输出功率: 400mW
我们的标准激光器通过100 um光纤提供高达400 MW的功率，如有要求，可提供高达1，500 MW的高功率能力。
- LDX-2615-635: 635nm 600mW Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 600mW
该635nm红色二极管激光器从自由空间封装中的150um发射器产生600mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生480mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- APA4501040001半导体激光器II-VI Incorporated
波长: 840-860 nm输出功率: 1.5-2.2 mW
来自II-VI Incorporated的APA4501040001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.5至2.2mW，工作电压为2.1至2.2V，阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501040001的更多详细信息，请参阅下文。
- SEC9-940-01半导体激光器II-VI Incorporated
波长: 940 nm
来自II-VI Incorporated的SEC9-940-01是波长为940nm、工作电压为1.9V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SEC9-940-01的更多详细信息，请参阅下文。
- LPSC-1550-FC半导体激光器Thorlabs Inc
波长: 1550 nm输出功率: 0.05 W
Thorlabs Inc的LPSC-1550-FC是一款激光二极管，波长为1550 nm，输出功率为0.05 W，工作电压为1.5至2 V，工作电流为0.25至0.5 A，输出功率（CW）为0.05 W.LPSC-1550-FC的更多详情见下文。
相关文章
单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。