全部产品分类
qdfbld-1550-100 半导体激光器

qdfbld-1550-100

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书
美国
厂家:QPhotonics

更新时间:2024-01-04 10:43:44

型号: QDFBLD-1550-1001550nm, 100mW, Wavelength stabilized Single Mode Fiber Coupled Laser Diode

概述

Qphotonics的QDFBLD-1550-100是一款波长稳定的单模光纤耦合DFB激光二极管,工作波长范围为1528至1565 nm.输出功率为100 MW,上升时间为0.5 ns.该激光器具有内置的光隔离器、监控光电二极管、热电冷却器和热敏电阻。它可以在带有保偏(PM)光纤尾纤的模块中使用。还提供可选的FC/APC连接器。

参数

  • 波长 / Wavelength : 1528 to 1565 nm
  • 输出功率 / Output Power : 100 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.9 V
  • 工作电流 / Operating Current : 0.626 A
  • 阈值电流 / Threshold Current : 40 to 80 mA
  • 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode

规格书

厂家介绍

Qphotonics是波长范围为405nm-1650nm的半导体发光器件的专业供应商,用于研究、开发和生产。我们提供种类繁多的激光二极管、超发光二极管和半导体光放大器。可以从库存中选择单个设备并在线购买。我们还提供用于构建激光系统的控制器、支架、准直器和光电二极管。

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    LD-01-1-0028 Fiber Pigtailed Laser Diode半导体激光器O/E Land Inc.

    波长: 785nm输出功率: 5mW

    LD-01-1-0028尾纤式激光二极管

  • 光电查
    ISV940-004半导体激光器ISOCOM Limited

    波长: 840 to 870 nm输出功率: 0.004 W

    ISOCOM有限公司的ISV940-004是一款激光二极管,波长为840至870 nm,输出功率为4 MW,输出功率为0.004 W,工作电压为2.5 V,工作电流为0.009 A.有关ISV940-004的更多详细信息,请参见下文。

  • 光电查
    EYP-BAL-0905-00050-1040-TOE22-0010半导体激光器TOPTICA eagleyard

    波长: 905 nm输出功率: 0 to 56 W

    Toptica Eagleyard的EYP-BAL-0905-00050-1040-TOE22-0010是一款激光二极管,波长905 nm,输出功率0至56 W,工作电流70至78 A,阈值电流0至3000 mA,输出功率(CW)0至56 W.EYP-BAL-0905-00050-1040-TOE22-0010的更多详情见下文。

  • 光电查
    BAR-114半导体激光器SemiNex Corporation

    波长: 1560 nm输出功率: 25 W

    Seminex公司的BAR-114是波长为1560nm,输出功率为25W,工作电压为1.1V,工作电流为100A,阈值电流为12000mA的激光二极管。下面可以看到BAR-114的更多详细信息。

  • 光电查
    LNCT28PS01WW半导体激光器Panasonic Corporation

    输出功率: 0.1 to 0.2 W

    Panasonic公司的LNCT28PS01WW是波长为656 nm(红光)至791 nm(红外)的激光二极管,输出功率为0.1至0.2 W,工作电压为2.4至3 V,工作电流为0.12 8至0.275 A,阈值电流为45-80 mA.有关LNCT28PS01WW的更多详细信息,请参阅下文。

相关文章

  • 对痕量气体光学分析工艺进行了优化

    激光吸收光谱法是测定样品中气体组分浓度的一种重要方法。现代设备是高度专业化的,用于检测非常特殊的气体,如大气中的微量气体,燃烧废气和等离子体的技术应用。

  • 光学纳米粒子的光学捕获:基础与应用

    《Opto-Electronic Science》发表了一篇新文章,回顾了光学纳米粒子的基本原理和应用。光学纳米粒子是光子学的关键要素之一。它们不仅能对大量系统(从细胞到微电子学)进行光学成像,还能充当高灵敏度的远程传感器。

  • 单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能

    洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。

  • 带有硅光子电路的单片集成半导体激光器

    由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性,硅(Si)光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而,由于硅基材料无法有效发光,因此需要使用其他半导体作为光源。