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TPG2EW1S09 半导体激光器

TPG2EW1S09

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更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: TPG2EW1S09Pulsed Semiconductor Laser Diode from 895 to 925 nm

概述

Excelitas Technologies的TPG2EW1S09是一款GaAs脉冲半导体激光二极管,工作波长为895至925 nm.该激光器的峰值功率为85W,功率斜率为3W/A,光谱宽度(FWHM)为10nm,脉冲宽度为100ns.它的正向电压为13.5 V,阈值电流高达1.5 A.该激光二极管采用多层单片芯片设计,并在GaAs结构上制造。它采用类似于TO的T1¾通孔塑料封装,非常适合激光雷达/飞行时间测量、激光测距、激光扫描/UGV、红外夜间照明、激光治疗、医疗和分析应用中的材料激发。

参数

  • 应用行业 / Application Industry : Test & Measurements, Security, Medical, Bio Medical, Aerospace / Military, Commercial
  • 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
  • 波长 / Wavelength : 895 to 925 nm
  • 输出功率 / Output Power : 75 to 85 W
  • 工作电压 / Operating Voltage : 13.5 V
  • 阈值电流 / Threshold Current : 1.5 A
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes

图片集

TPG2EW1S09图1
TPG2EW1S09图2
TPG2EW1S09图3

规格书

厂家介绍

Excelitas Technologies是提供高性能、市场驱动的光子创新的技术做的较好的,以满足全球客户的照明、光电、检测和光学技术需求。

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图片名称分类制造商参数描述

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