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下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
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折叠-35S-658-VGB概述
来自Frankfurt Laser Company的FOLD-35S-658-VGB是一种激光二极管，波长为658 nm，输出功率为0.035 W，阈值电流为30至50 mA，输出功率（CW）为0.035 W，工作温度为0至50摄氏度。FOLD-35S-658-VGB的更多详细信息见下文。
折叠-35S-658-VGB参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 658 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.035 W
- 阈值电流 / Threshold Current : 30 to 50 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
折叠-35S-658-VGB图片集
折叠-35S-658-VGB规格书
折叠-35S-658-VGB厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- Model Beckon/R - Handheld Infrared Laser半导体激光器Pranalytica, Inc
Pranalytica的Beckonir®-XX-yyyy量子级联激光器（QCL）系统是我们的高平均功率脉冲式红外辐射源的手持式自主信标（IFF）。在波长为4.6µm时，系统可以产生超过2.0W的平均功率，在波长为8.5µm时，系统可以产生高达1.5W的平均功率。4至12µm之间的其他波长也可用，具有不同的功率水平。
- LDX-2305-665半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 665 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-2305-665是波长为665 nm、输出功率为280 MW（光纤）至350 MW、输出功率为280 MW（光纤）至350 MW、工作电压为2.1 V、工作电流为900 mA的激光二极管。有关LDX-2305-665的更多详细信息，请参阅下文。
- QLF073D半导体激光器Laser Components
波长: 785 nm输出功率: 0.28 W
Laser Components公司的QLF073D是一种波长为785 nm的激光二极管，输出功率为0.28 W，工作电压为2.3~2.8 V，工作电流为0.13 5~0.19 A，阈值电流为35~55 mA.有关QLF073D的更多详细信息，请参阅下文。
- LD-980-100-40-N-2半导体激光器OPELUS Technology Corporation
波长: 965 to 995 nm输出功率: 0.1 W
Opelus Technology Corporation的LD-980-100-40-N-2是波长为965至995nm、输出功率为0.1W、工作电压为1.6至2.1V、工作电流为160至180mA、阈值电流为35至55mA的激光二极管。有关LD-980-100-40-N-2的更多详细信息，请参阅下文。
- QL78F6SG-Q半导体激光器Quantum Semiconductor International
波长: 775 to 790 nm输出功率: 10 mW
Quantum Semiconductor International的QL78F6SG-Q是一种激光二极管，波长为775至790 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.5 V，工作电流为33至44 mA.有关QL78F6SG-Q的更多详细信息，请参阅下文。
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