加州理工学院信息科学与技术和应用物理学泰德和金格-詹金斯教授兼应用物理学和材料科学执行官瓦哈拉,与他的研究小组成员和加州大学圣塔芭芭拉分校的约翰-鲍尔斯小组成员一起,在一种名为超低损耗氮化硅(ULL nitride)的重要新材料(一种由硅和氮组成的化合物)中形成短脉冲的方式上取得了突破性进展。这种氮化硅的纯度极高,并以薄膜形式沉积。
S858501D
更新时间:2023-02-23 15:55:56
S858501D概述
EGISMOS Technology Corporation的S858501D是一款波长为850 nm、功率为1 MW、输出功率(CW)为1 MW、工作温度为-10至40摄氏度、存储温度为-40至85摄氏度的激光器。有关S858501D的更多详细信息,
S858501D参数
- 类型 / Type : Laser Module
- 技术 / Technology : DPSS Laser
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 850 nm
- 可调谐 / Tunable : No
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 功率 / Power : 1 mW
- 应用行业 / Application Industry : Medical, Industrial (Material Processing)
- RoHS / RoHS : Yes
S858501D规格书
S858501D厂家介绍
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