IE7100XSX

AMONICS'ALS-CWDM超宽带光源在1250nm到1650nm范围内提供高于-30dBm/nm的高光谱密度。这使得该源代码成为在一个简单步骤中表征CWDM组件和通信链路的理想工具。这种宽带光源在高分辨率光学相干层析成像（Oct）应用中也非常有效。在台式装置中，输出功率、报警和驱动电流值显示在LCD显示屏上。可通过调节前面板控制旋钮来调整输出功率。此外，还使用了主动发射按钮，以提高操作安全性。

波长: 1050nm

适用于OEM应用的瓦级、kHz线宽、单频激光器

被动调Q微片固态激光器（微片激光器）是一种方便的短脉冲发射源（0.5至1ns），具有高脉冲能量（10μJ）和接近衍射极限的光束质量。微芯片激光器的应用可以通过使用一个或多个放大器级增加其脉冲能量和平均功率来显著扩展，但前提是放大器保持微芯片发射的固有光束质量和其他所需属性。我们已经证明，双通VHGM放大器可以将1064nm微芯片振荡器的脉冲能量和平均功率分别增加到500uJ和5W以上，同时保持微芯片激光器的光束质量和发射光谱。下图显示了2通放大器的平均1064nm输出功率与放大器驱动电流（在10kHz的脉冲率下）的关系，并且是注入到2通放大器中的1064nm种子功率的函数。放大器中的较大808nm泵浦功率为40W。考虑到将种子功率减少10倍（至约10mW）导致放大器输出功率减少不到2倍，2通放大器在100mW种子功率下很好地饱和。在2通放大器的输出端不需要法拉第隔离器，而在其他设计中经常需要法拉第隔离器来将2通放大光束与输入种子光束分离，从而导致更紧凑、更高效和更低成本的MOPA系统。在JG Manni，Optics Communications 252：117-126（2005）中提供了更多细节。微芯片激光振荡器现在是商业上可获得的，其可以在200ps脉冲持续时间中产生10nJ脉冲能量，并且在100ps脉冲中产生4nJ脉冲能量。（见www.batop.de）我们计划将这种微芯片激光器与我们的双通道VHGM放大器配对，并将在此网页上报告我们的结果。

波长: 532 nm

LaserGlow Technologies的L5310C5FX是一款波长为532 nm、功率为10000 MW、输出功率（CW）为10000 MW、工作温度为10至35摄氏度、存储温度为-10至50摄氏度的激光器。有关L5310C5FX的更多详细信息，请参见下文。

波长: 532 nm

Crystalaser的CL532-500-L是一款波长为532 nm、功率为0至0.5 W（500 MW）、输出功率（CW）为0至0.5 W（500 MW）、工作温度为10至35摄氏度的激光器。有关CL532-500-L的更多详细信息，请参见下文。