位于荷兰的研究人员开发出 "量子产率超过200%"的光电二极管
埃因霍温和TNO团队对基于多个堆叠电池的太阳能电池板采用类似的方法。
更新时间:2023-02-23 15:53:58
DUV265-CHIP概述
Roithner Lasertechnik的DUV265芯片是一款LED,电流为40 mA,正向电压为10至10.5 V,正向电流为40 mA,反向电流为0.1 mA(100µA),波长为265 nm.有关DUV265芯片的更多详细信息,
DUV265-CHIP参数
DUV265-CHIP规格书
DUV265-CHIP厂家介绍
激光二极管、激光模块、LED、光电二极管、光学器件和相关配件的供应商。
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Cree LED的CXA1850-0000-000N00x240是一款正向电压为35至42 V、正向电流为1400 mA、光通量为5590-6434 LM、反向电流为0.1 mA的LED.有关CXA1850-0000-000N00x240的更多详细信息,请参阅下文。
来自Cree LED的XMLEZW-00-0000-0B0HT527F是一款正向电压为5.7至11.5 V、正向电流为7000 mA、光通量为260-309 LM、反向电流为-0.1 mA的LED.有关XMLEZW-00-0000-0B0HT527F的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 562 to 575 nm
Vishay Intertechnology的TLUG2401是一款LED,正向电压为2.4至3 V,正向电流为10 mA,发光强度CD为12000000 CD,发光强度MCD为12 MCD,波长为562至575 nm.有关TLUG2401的更多详细信息,请参阅下文。
来自Rohm Semiconductor的CSL0406WBCW是电流为30mA、正向电压为3.2V、正向电流为30mA、发光强度CD为2.2cd、发光强度MCD为2200mcd的LED.有关CSL0406WBCW的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 525 nm
来自Seoul Semiconductor的UPGT801-S是一种LED,其正向电压为2.2 V,正向电流为20 mA,发光强度CD为17 CD,发光强度MCD为0.000017 MCD,波长为525 nm.有关UPGT801-S的更多详细信息,请参阅下文。
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