收藏 
下载规格书 晶体技术引领下一代OLED：中国科学家开发高性能晶体白色OLED
中国科学家近期在《光科学与应用》杂志上发布的研究成果显示，他们成功开发出了一种高性能的晶体白色有机发光二极管（OLED）。通过采用热激活延迟荧光（TADF）材料和橙色磷光掺杂剂的创新技术，并结合晶体主体基质中嵌入的纳米聚集体结构，这项技术实现了对发光行为的有效控制，提高了器件性能，包括更高的亮度和光子输出效率。
全部产品分类
概述
来自Flip Chip Opto的Apollo 400是一款LED，电流为8000 mA，正向电压为50.7 V，正向电流为8000 mA，光通量为35690至39340 LM，功率为405.6 W.有关Apollo 400的更多详细信息，
参数
- 芯片技术 / Chip Technology : Chip on Board (COB)
- RoHS / RoHS : Yes
- 热敏电阻 / Thermal Resistance : 0.01 Degree C/W
- 正向电压 / Forward Voltage : 50.7 V
- 正向电流 / Forward Current : 8000 mA
规格书
厂家介绍
Flip Chip Opto是一家美国LED照明技术公司。其研发中心位于硅谷，Flip Chip Opto致力于其灵感、进步和可负担性的愿景。Flip Chip Opto首席执行官Chang Han表示：“用更好、更实惠的灯具激励世界”。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- LXR7-SW50发光二极管Lumileds
Lumileds的LXR7-SW50是一款LED，正向电压为12 V，正向电流为700 mA，光通量为1050至970 LM，工作温度为-40摄氏度至120摄氏度，存储温度为-40至120摄氏度。有关LXR7-SW50的更多详细信息，请参见下文。
- LTE-R38381S-S-U发光二极管LITE-ON
波长: 940 nm
Lite-On的LTE-R38381S-S-U是一款LED，正向电压为3至3.4 V，正向电流为DC至1 A，反向电流为10 uA，波长为940 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关LTE-R38381S-S-U的更多详细信息，请参见下文。
- GW PLLRA1.PM发光二极管OSRAM
欧司朗的GW PLLRA1.PM是一款朗伯LED，非常适合区域灯、高湾工业、便携式LED照明、街道、隧道和户外应用。它的色温为2200-6500 K，CRI（显色指数）为72。LED的光通量为325 Im@5000 K，功效为166 Im/W@5000 K.
- APED3528SECK-F01发光二极管kingbrightusa
波长: 601 nm
KingbrightUSA的APED3528SECK-F01是一款发光强度为700 CD、发光强度为0.0007 MCD、波长为601 nm、工作温度为-40至85摄氏度、存储温度为-40至85摄氏度的LED.有关APED3528SECK-F01的更多详细信息，请参见下文。
- APED3820CGCK-F01发光二极管kingbrightusa
波长: 570 nm
KingbrightUSA的APED3820CGCK-F01是一款LED，发光强度CD为170 CD，发光强度MCD为0.00017 MCD，波长为570 nm，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关APED3820CGCK-F01的更多详细信息，请参见下文。
相关文章
位于荷兰的研究人员开发出 "量子产率超过200%"的光电二极管
埃因霍温和TNO团队对基于多个堆叠电池的太阳能电池板采用类似的方法。
电致发光是用电流产生的光，不依靠热或化学反应。这使得电致发光可靠而高效：它们被用作数字手表的背光灯和阿波罗航天飞机制导计算机的显示屏。像OLED一样，发光电化学电池（LEC）--通过电致发光--已经经历了许多技术进步。密切检查导致发光的过程对于提高发光效率至关重要，然而，直到现在还没有直接检查这些过程的实验方法。
什么是直接二极管激光器（Direct Diode Lasers）？
直接二极管激光器（DDL）是一种激光振荡器，它使用棱镜和透镜来集中来自半导体激光器阵列组成的激光二极管（LD）堆栈模块的激光束