蓝色发光二极管代表了当代照明和显示技术领域的基本元素。与III-V、有机和量子点LED等主流技术一样，开发高效稳定的蓝色钙钛矿发光二极管(PeLEDs)是一项艰巨的挑战。
全部产品分类
SMLVN6RGB1W
立即咨询
获取报价
收藏 
下载规格书
获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-01-06 15:08:00
型号: SMLVN6RGB1W
SMLVN6RGB1W概述
来自Rohm Semiconductor的SMLVN6RGB1W是具有正向电压2.1至3.3V、正向电流40至50mA、发光强度CD 0.22至1.2cd、发光强度MCD 220至1200mcd、反向电流10uA的LED.有关SMLVN6RGB1W的更多详细信息，
SMLVN6RGB1W参数
- 颜色 / Colors : Red, Green, Blue
- 透镜类型 / lens type : Triple Color/Mini-mold
- RoHS / RoHS : Yes
- 正向电压 / Forward Voltage : 2.1 to 3.3 V
- 正向电流 / Forward Current : 40 to 50 mA
- 波长 / Wavelength : 465 to 629 nm
SMLVN6RGB1W规格书
SMLVN6RGB1W厂家介绍
Rohm于1958年在京都成立，较初是一家小型电子元件制造商。1967年，生产扩大到包括晶体管和二极管，1969年，集成电路和其他半导体产品加入到产品线中。两年后（1971年），该公司打破传统的日本商业文化，在硅谷建立了销售办事处和IC设计中心，从而进入美国市场。通过其年轻员工的辛勤工作和热情奉献，业务蓬勃发展，引起了业界的关注。罗姆的海外扩张很快成为其他公司的模板，并较终被接受为普遍的商业惯例。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- XHP35A-00-0000-0D0PC257E发光二极管Cree LED
Cree LED的XHP35A-00-0000-0D0PC257E是一款正向电压为11.3 V、正向电流为350 mA、光通量为440-497 LM、反向电压为-5 V的LED.有关XHP35A-00-0000-0D0PC257E的更多详细信息，请参见下文。
- XMLEZW-00-0000-0D00U340F发光二极管Cree LED
Cree LED的XMLEZW-00-0000-0D00U340F是一款正向电压为5.7至11.5 V、正向电流为350 mA、光通量为320-380 LM、反向电流为-0.1 mA的LED.有关XMLEZW-00-0000-0D00U340F的更多详细信息，请参阅下文。
- SPMWHT325AD5YBR0S0发光二极管Samsung Semiconductors
Samsung Semiconductors的SPMWHT325AD5YBR0S0是一款LED，正向电流为100至200 mA，光通量为55至96 LM，功率为0.6 W，工作温度为105摄氏度。有关SPMWHT325AD5YBR0S0的更多详细信息，请参见下文。
- APBL3025SRSGCPR-F01发光二极管kingbrightusa
波长: 568 to 640 nm
KingbrightUSA的APBL3025SRSGCPR-F01是一款LED，发光强度CD为20-100 CD，发光强度MCD为0.00002 MCD，波长为568至640 nm，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关APBL3025SRSGCPR-F01的更多详细信息，请参见下文。
- APD2520MGC03发光二极管kingbrightusa
波长: 570 nm
KingbrightUSA的APD2520MGC03是一款发光强度为CD 600 CD、发光强度为MCD 0.0006 MCD、波长为570 nm、工作温度为-40至85摄氏度、存储温度为-40至85摄氏度的LED.有关APD2520MGC03的更多详细信息，请参见下文。
相关文章
发光二极管(led)已经彻底改变了现代照明和传感技术。从家庭应用到工业应用，led用于所有照明应用，从电视屏幕的室内照明到生物医学。今天广泛使用的有机led (oled)，例如在智能手机屏幕上，采用有机薄膜材料作为半导体。然而，它们的最大亮度仍然有限;试想一下，在一个阳光明媚的日子里，你试图阅读你的智能手机屏幕。
光电晶体管是一种对光敏感的晶体管。它由一个光电二极管和一个晶体管组成，用于检测光并将其转换成电信号。
汉诺威莱布尼茨大学（Leibniz University Hannover ）的科学家 Lei Zheng 博士等人开发了一种低成本、用户友好的制造技术，称为基于紫外 LED 的显微镜投影光刻技术（MPP），可在几秒钟内快速制造出高分辨率的光学元件。这种方法可在紫外线照射下将光掩模上的结构图案转移到光阻涂层基底上。