全部产品分类
LNJ214R82RA 发光二极管

LNJ214R82RA

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书
日本
分类:发光二极管

更新时间:2024-06-05 17:18:49

型号: LNJ214R82RAHight Bright Surface Mounting Chip LED

概述

松下公司的LNJ214R82RA是一款LED,正向电压为1.85至2.40 V,正向电流为15 mA,发光强度CD为0.0058至0.0268 CD,发光强度MCD为5.8至26.8 MCD,反向电流为100µA.有关LNJ214R82RA的更多详细信息,

参数

  • 颜色 / Colors : Red
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 正向电压 / Forward Voltage : 1.85 to 2.40 V
  • 正向电流 / Forward Current : 15 mA
  • 波长 / Wavelength : 620 to 640 nm

规格书

厂家介绍

该公司较初成立于1918年,当时名为松下电器制作所。1935年,该公司被合并为松下电器产业株式会社。2008年,公司更名为松下公司。

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    LXR8-RW40发光二极管Lumileds

    Lumileds的LXR8-RW40是一款LED,正向电压为6 V,正向电流为1400 mA,光通量为905至840 LM,工作温度为-40摄氏度至120摄氏度,存储温度为-40至120摄氏度。有关LXR8-RW40的更多详细信息,请参见下文。

  • 光电查
    AA3021P3S发光二极管kingbrightusa

    KingbrightUSA的AA3021P3S是一款LED,工作温度为-40至85摄氏度,存储温度为-40至85摄氏度。有关AA3021P3S的更多详细信息,请参见下文。

  • 光电查
    APA2106MGC发光二极管kingbrightusa

    波长: 570 nm

    来自KingbrightUSA的APA2106MGC是发光强度CD为80 CD、发光强度MCD为0.00008MCD、波长为570 nm、工作温度为-40至85摄氏度、存储温度为-40至85摄氏度的LED.有关APA2106MGC的更多详细信息,请参见下文。

  • 光电查
    APB3227SYKCGKC发光二极管kingbrightusa

    波长: 570 to 590 nm

    KingbrightUSA的APB3227SYKCGKC是一款LED,发光强度CD 55-150 CD,发光强度MCD 0.000055 MCD,波长570至590 nm,工作温度-40至85摄氏度,存储温度-40至85摄氏度。有关APB3227SYKCGKC的更多详细信息,请参见下文。

  • 光电查
    APED3528QBC/G-F01发光二极管kingbrightusa

    波长: 465 nm

    KingbrightUSA的APED3528QBC/G-F01是一款LED,发光强度CD 800 CD,发光强度MCD 0.0008 MCD,波长465 nm,工作温度-40至85摄氏度,存储温度-40至85摄氏度。有关APED3528QBC/G-F01的更多详细信息,请参见下文。

相关文章

  • 晶体技术引领下一代OLED:中国科学家开发高性能晶体白色OLED

    中国科学家近期在《光科学与应用》杂志上发布的研究成果显示,他们成功开发出了一种高性能的晶体白色有机发光二极管(OLED)。通过采用热激活延迟荧光(TADF)材料和橙色磷光掺杂剂的创新技术,并结合晶体主体基质中嵌入的纳米聚集体结构,这项技术实现了对发光行为的有效控制,提高了器件性能,包括更高的亮度和光子输出效率。

  • 新的研究为更高效和稳定的蓝色OLED显示器开辟了道路

    杜伦大学(Durham University)科学家的一项新研究揭示了一条通往更亮、更高效、更稳定的蓝色有机发光二极管(oled)的意想不到的途径。

  • 什么是光子晶体管(Phototransistor)?

    光电晶体管是一种对光敏感的晶体管。它由一个光电二极管和一个晶体管组成,用于检测光并将其转换成电信号。

  • 用于高分辨率制造的低成本显微投影光刻系统

    汉诺威莱布尼茨大学(Leibniz University Hannover )的科学家 Lei Zheng 博士等人开发了一种低成本、用户友好的制造技术,称为基于紫外 LED 的显微镜投影光刻技术(MPP),可在几秒钟内快速制造出高分辨率的光学元件。这种方法可在紫外线照射下将光掩模上的结构图案转移到光阻涂层基底上。