小型化和多色发光器件阵列为材料科学和应用物理学的感知、成像和计算提供了一种有前途的工具。通过使用传统的发光二极管可以实现一系列的发射颜色,尽管这一过程会受到材料或设备限制。
sphww1hdnd27yhw33p
更新时间:2023-01-06 15:08:00
sphww1hdnd27yhw33p概述
Samsung Semiconductors的SPHWW1HDND27YHW33P是一款LED,正向电压为35.5 V,正向电流为900 mA,光通量为3473至3816 LM,功率为32至59.9 W.有关SPHWW1HDND27YHW33P的更多详细信息,
sphww1hdnd27yhw33p参数
- RoHS / RoHS : Yes
- 正向电压 / Forward Voltage : 35.5 V
- 正向电流 / Forward Current : 900 mA
sphww1hdnd27yhw33p规格书
sphww1hdnd27yhw33p厂家介绍
我们开发的产品和技术被领先的移动、汽车、AR/VR游戏、Iot、Edge、AI和正在推动企业和超大规模数据中心实现增长。
相关内容
相关产品
- CXA1304-0000-000F0HB40E2发光二极管Cree LED
Cree LED的CXA1304-0000-000F0HB40E2是一款正向电压为18-21 V、正向电流为200 mA、光通量为410-457 LM、反向电流为0.1 mA的LED.有关CXA1304-0000-000F0HB40E2的更多详细信息,请参阅下文。
- CXA2590-0000- 000R00BB50发光二极管Cree LED
Cree LED的CXA2590-0000-000R00BB50是一款正向电压为69至80 V、正向电流为1200 mA、光通量为9500-10310 LM、反向电流为0.1 mA的LED.有关CXA2590-0000-000R00BB50的更多详细信息,请参阅下文。
- SML522BU1W发光二极管ROHM Semiconductor
波长: 465 to 629 nm
来自Rohm Semiconductor的SML522BU1W是一种LED,其正向电压为1.9至2.9 V,正向电流为20 mA,发光强度CD为0.009至0.022 CD,发光强度MCD为9至22 MCD,反向电流为10 uA.有关SML522BU1W的更多详细信息,请参阅下文。
- SMLMN2BCT发光二极管ROHM Semiconductor
波长: 470 nm
来自Rohm Semiconductor的SMLMN2BCT是电流为5mA、正向电压为2.9V、正向电流为5mA、发光强度CD为0.036cd、发光强度MCD为36mcd的LED.有关SMLMN2BCT的更多详细信息,请参见下文。
- LR530发光二极管Seoul Semiconductor
波长: 620 nm
来自Seoul Semiconductor的LR530是一种LED,正向电压为2.2 V,正向电流为20 mA,发光强度CD为6500 CD,发光强度MCD为0.0065 MCD,波长为620 nm.有关LR530的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
杜伦大学(Durham University)科学家的一项新研究揭示了一条通往更亮、更高效、更稳定的蓝色有机发光二极管(oled)的意想不到的途径。
电致发光是用电流产生的光,不依靠热或化学反应。这使得电致发光可靠而高效:它们被用作数字手表的背光灯和阿波罗航天飞机制导计算机的显示屏。像OLED一样,发光电化学电池(LEC)--通过电致发光--已经经历了许多技术进步。密切检查导致发光的过程对于提高发光效率至关重要,然而,直到现在还没有直接检查这些过程的实验方法。
汉诺威莱布尼茨大学(Leibniz University Hannover )的科学家 Lei Zheng 博士等人开发了一种低成本、用户友好的制造技术,称为基于紫外 LED 的显微镜投影光刻技术(MPP),可在几秒钟内快速制造出高分辨率的光学元件。这种方法可在紫外线照射下将光掩模上的结构图案转移到光阻涂层基底上。