晶体技术引领下一代OLED:中国科学家开发高性能晶体白色OLED
中国科学家近期在《光科学与应用》杂志上发布的研究成果显示,他们成功开发出了一种高性能的晶体白色有机发光二极管(OLED)。通过采用热激活延迟荧光(TADF)材料和橙色磷光掺杂剂的创新技术,并结合晶体主体基质中嵌入的纳米聚集体结构,这项技术实现了对发光行为的有效控制,提高了器件性能,包括更高的亮度和光子输出效率。
更新时间:2024-06-05 17:18:05
概述
Samsung Semiconductors的SPHCW1HDNC23YHRT3F是一款LED,正向电压为35.5 V,正向电流为720 mA,光通量为3841至4267 LM,功率为25.6至48.1 W.有关SPHCW1HDNC23YHRT3F的更多详细信息,
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
波长: 591 nm
来自Cree LED的CLM3C-AKW是一种LED,其电流为20 mA,正向电压为2.1 V,发光强度CD为700000000 CD,发光强度MCD为700 MCD,波长为591 nm.有关CLM3C-AKW的更多详细信息,请参阅下文。
来自Lumileds的MXA8-PW50-H001是一款LED,电流为300 mA,正向电压为2.7-3.2 V,正向电流为300 mA,光通量为33-51 LM,反向电压为-5 V.MXA8-PW50-H001的更多详情见下文。
波长: 570 nm
KingbrightUSA的APA3010MGC-GX是一款LED,发光强度CD为80 CD,发光强度MCD为0.00008MCD,波长为570 nm,工作温度为-40至85摄氏度,存储温度为-40至85摄氏度。有关APA3010MGC-GX的更多详细信息,请参见下文。
波长: 605 nm
KingBrightUSA的APT3216SECK/J4-PRV是一款LED,发光强度CD 550 CD,发光强度MCD 0.00055 MCD,波长605 nm,工作温度-40至85摄氏度,存储温度-40至85摄氏度。有关APT3216SECK/J4-PRV的更多详细信息,请参见下文。
波长: 461.53 nm
来自KingbrightUSA的APTD3216QWF/G是发光强度CD 380 CD、发光强度MCD 0.00038 MCD、波长461.53 nm、工作温度-40至85摄氏度、存储温度-40至85摄氏度的LED.有关APTD3216QWF/G的更多详细信息,请参见下文。
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