晶体技术引领下一代OLED:中国科学家开发高性能晶体白色OLED
中国科学家近期在《光科学与应用》杂志上发布的研究成果显示,他们成功开发出了一种高性能的晶体白色有机发光二极管(OLED)。通过采用热激活延迟荧光(TADF)材料和橙色磷光掺杂剂的创新技术,并结合晶体主体基质中嵌入的纳米聚集体结构,这项技术实现了对发光行为的有效控制,提高了器件性能,包括更高的亮度和光子输出效率。
概述
Lumileds的L135-30800CHV00001是一款LED,正向电压为48 V,正向电流为30 mA,光通量为84至107 LM,工作温度为-40摄氏度至105摄氏度,存储温度为-40至105摄氏度。有关L135-30800CHV00001的更多详细信息,
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
波长: 527 nm
Cree LED的C503B-GCS是一款正向电压为3.2 V、发光强度为125亿CD、发光强度为12500 MCD、波长为527 nm的LED.有关C503B-GCS的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 470 nm
Cree LED的C566C-BFE是一款LED,正向电压为3.4 V,发光强度CD为1500000000 CD,发光强度MCD为1500 MCD,波长为470 nm.有关C566C-BFE的更多详细信息,请参阅下文。
来自Vishay Intertechnology的VLMW41S1T2-5K6L是一款LED,正向电压为3.3至4.2 V,正向电流为10 mA,发光强度为180000000 CD,发光强度MCD为180-450 MCD.有关VLMW41S1T2-5K6L的更多详细信息,请参阅下文。
三星半导体(Samsung Semiconductors)的LM301B EVO是一款白光LED,旨在为室内和工业应用的光效和色彩质量设定标准。它的发光效率为235lm/W,光通量为36-42.5lm.该LED需要2.6-2.9 V的直流电源,功耗高达0.2 W.基于三星专有的倒装芯片设计,它提供了无与伦比的光效和色彩渲染组合,与不断变化的照明标准很好地保持一致。该LED采用高度可靠的模制树脂封装,尺寸为3 X 3 X 0.8 mm.
波长: 880 nm
KingbrightUSA的AP2012SF4C是一款LED,发光强度CD 1.5 CD,发光强度MCD 0.0000015 MCD,波长880 nm,工作温度-40至85摄氏度,存储温度-40至85摄氏度。有关AP2012SF4C的更多详细信息,请参阅下文。
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