汉诺威莱布尼茨大学(Leibniz University Hannover )的科学家 Lei Zheng 博士等人开发了一种低成本、用户友好的制造技术,称为基于紫外 LED 的显微镜投影光刻技术(MPP),可在几秒钟内快速制造出高分辨率的光学元件。这种方法可在紫外线照射下将光掩模上的结构图案转移到光阻涂层基底上。
XHP35A-00-0000-0D0UB450E概述
Cree LED的XHP35A-00-0000-0D0UB450E是一款正向电压为11.3 V、正向电流为350 mA、光通量为410-463 LM、反向电压为-5 V的LED.有关XHP35A-00-0000-0D0UB450E的更多详细信息,
XHP35A-00-0000-0D0UB450E参数
- RoHS / RoHS : Yes
- 标签 / Tags : Cree® XLamp® XHP35 LEDs
- 正向电压 / Forward Voltage : 11.3 V
- 正向电流 / Forward Current : 350 mA
XHP35A-00-0000-0D0UB450E规格书
XHP35A-00-0000-0D0UB450E厂家介绍
相关内容
相关产品
- C566C-BFN发光二极管Cree LED
波长: 470 nm
Cree LED的C566C-BFN是一款LED,正向电压为3.4 V,发光强度CD为1500000000 CD,发光强度MCD为1500 MCD,波长为470 nm.有关C566C-BFN的更多详细信息,请参阅下文。
- LXK8-PW40-0016A发光二极管Lumileds
Lumileds的LXK8-PW40-0016A是一款LED,电流为350 mA,正向电流为44000 mA,光通量为1680至2010 LM,工作温度为-40至125摄氏度,存储温度为-40至125摄氏度。有关LXK8-PW40-0016A的更多详细信息,请参见下文。
- VLME3100发光二极管Vishay Intertechnology
波长: 588 nm
Vishay Intertechnology的VLME3100是一款LED,正向电压为2至2.6 V,正向电流为10 mA,发光强度为45000000 CD,发光强度为MCD 45 MCD,波长为588 nm.有关VLME3100的更多详细信息,请参阅下文。
- TL1L3-NT0,L4A5B发光二极管Toshiba Corporation
东芝公司的TL1L3-NT0,L4A5B是一款LED,正向电压为2.7至3.3 V,正向电流为1000 mA,光通量为140 LM,工作温度为-40至100摄氏度,存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-NT0,L4A5B的更多详细信息如下所示。
- PLW3014AA-4000发光二极管Plessey Semiconductors Ltd
Plessey Semiconductors Ltd的PLW3014AA-4000是一款LED,正向电压为2.8至3.5 V,正向电流为50 mA,反向电流为0.01 mA(10µA),反向电压为5 V,存储温度为-40至100摄氏度。有关PLW3014AA-4000的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
电致发光是用电流产生的光,不依靠热或化学反应。这使得电致发光可靠而高效:它们被用作数字手表的背光灯和阿波罗航天飞机制导计算机的显示屏。像OLED一样,发光电化学电池(LEC)--通过电致发光--已经经历了许多技术进步。密切检查导致发光的过程对于提高发光效率至关重要,然而,直到现在还没有直接检查这些过程的实验方法。
位于荷兰的研究人员开发出 "量子产率超过200%"的光电二极管
埃因霍温和TNO团队对基于多个堆叠电池的太阳能电池板采用类似的方法。
发光二极管(led)已经彻底改变了现代照明和传感技术。从家庭应用到工业应用,led用于所有照明应用,从电视屏幕的室内照明到生物医学。今天广泛使用的有机led (oled),例如在智能手机屏幕上,采用有机薄膜材料作为半导体。然而,它们的最大亮度仍然有限;试想一下,在一个阳光明媚的日子里,你试图阅读你的智能手机屏幕。